硅漂移探测器 Vortex®-EM

X 射线数字CMOS

Vortex-EM 硅漂移 X 射线探测器的有效面积在 30 平方毫米到 80 平方毫米之间。 Vortex-EM 探测器采用最先进的 CMOS 生产技术，由高纯度硅制成。它们具有出色的能量分辨率（典型值为 Mn Kα 时 FWHM <130 eV）和高计数率能力。在 0.1 µs PT 时，输出计数率可达 900 kcps。这些探测器的独特之处在于，它们能够以极小的能量分辨率损失和最小的峰值偏移处理高计数率。 - X 射线荧光 (XRF) 光谱分析，包括块状荧光和微观荧光 - 用于 SEM 和 TEM 的显微分析 - 同步辐射应用 - 微粒诱导 X 射线发射 (PIXE) - 快速 X 射线绘图 Vortex-EM 在接近室温的条件下运行，由热电冷却器 (TEC) 进行冷却，可以根据需要频繁循环，而不会降低探测器的性能。冷却时间通常不超过 2 分钟。 Vortex-EM X 射线光谱分析系统包括一个探测器单元和控制箱，其中包括探测器电源、热电冷却器和带 PI-SPEC 软件的可选数字脉冲处理器。 整套探测器还包括电荷敏感前置放大器和温度稳定系统，从而消除了对环境温度变化的担忧。