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Murata/村田芯片式电容器
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电容: 0.1 µF - 330 µF
电压: 2.5 V - 3,150 V
... 一般用 片状多层陶瓷电 容器 我公司的主打产品引进了超高端的技术,并且是以小型化、大容量化为目标进行研发的。 1. 多层结构实现大容量化及小型化。 2. 对外部电极镀Sn,提高可焊性。 3. 高可靠性,无极性。 ...
Murata Electronics/村田
电容: 0.1 µF - 10,000 µF
电压: 250 V - 630 V
... 一般用高实效容量·高纹波耐性 片状多层陶瓷电 容器 有益于直流偏置特性的一般用高耐纹波性产品。 1. 施加直流偏置时,可获得比传统产品(X7R特性)更高的静 电容量。 施加直流200V时,可确保约为2倍的静 电容量。 2. 与传统产品(X7R特性)相比,耐纹波性能有所提高。 静 电容量1μF的产品,频率为f=300kHz,发热温度为20℃时,传统材料产品的耐受纹波电流量为2.9Arms,但新材料为4.7Arms。 3. ...
Murata Electronics/村田
电容: 0.1 µF - 68,000 µF
电压: 6.3 V - 1,000 V
... 一般用树脂外部电极 片状多层陶瓷电 容器 通过树脂外部电极抑制基板封装后的弯曲应力引起的裂纹! 1. 树脂外部电极抑制电路板弯曲引起的裂纹。 外部电极的树脂释放应力,可抑制陶瓷的裂纹。 2. 抑制电路板封装时等的由弯曲应力产生的裂纹。 3. 非常适合用于受动热应力、振动、冲击的消费、工业电子设备等。 ...
Murata Electronics/村田
电容: 100 µF - 10,000 µF
电压: 2,000 V
... Ethernet LAN用、DC-DC转换器的一次二次结合用 片状多层陶瓷电 容器 利用多层结构,既耐高压又实现了大容量化和小型化。 1. Ethenet LAN用信息设备(IEEE802.3.)及DC-DC转换器一次二次结合用。 2. 多层结构则高耐压,可实现大容量化和小型化。 3. 回流焊接专用 ...
Murata Electronics/村田
电容: 10 nF - 3,300 nF
电压: 11, 30 V
... 特地为注重集成化的用途而研制,包括天线的匹配器、RF滤波器、活性芯 片的去藕装置等限制高度和尺寸的器件,特别是智能卡、RFID标签、医疗设备等。LPSC分为下列2个系列: LPSC系列:最适合容量范围为47pF to 1μF,需要超高去藕特性的用途,包括嵌入技术、模块、系统和封装。 ESD增强系列:容量范围为47pF to 330pF,作为RFID的元件长期有效工作。通过对基本单元进行完整建模,成功地将ESD性能优化至最大8kV(参照下面的“特点”)。并且,通过微调RFID硅电 容器的容量,可将SRF提高至最大3GHz,能够在 ...
Murata Electronics/村田
... 片状铁氧体磁珠 可以有效抑制几MHz~几GHz的电感型EMI静噪滤波器。 作为广泛使用的静噪产品,在较为轻度的噪音抑制方面应用广泛。 电感型EMIFIL®,在低频范围内产生微电感。但在高频波段,电感器的电阻成分量会产生原始阻抗。若将其串联插入产生噪音的电路,电感器的阻抗会抑制噪声传导。 ...
Murata Electronics/村田
... 片状EMIFIL®(3端子低ESL 片状多层陶瓷电 容器/LC复合型・用途特定型EMI滤波器) 三端子电 容器是在开发静噪用途后,制成3端子低ESL 片状多层陶瓷电 容器。内部与贯通的电 容器相似,接地阻抗十分小。 基于此类结构,可以有效的去除几百MHz高频带的噪声 ...
Murata Electronics/村田