Materials Research Furnaces熔化炉

温度: 0 °C - 2,200 °C

... 我们广受欢迎的中型热处理炉包含一个 1 立方英尺（28 升）的可用区，温度最高可达 2200°C，并可配备多种选件。 所示设备配有涡轮增压系统和人机界面计算机接口包。其他选件包括氢气、扩散和低温泵系统、用于气体快速冷却的热交换器、高温计等。我们可根据您的具体需求定制窑炉。 热区采用钨棒或网状加热元件，可确保极佳的均匀性和使用寿命。 该炉配备了直观易用的计算机界面，可实现全自动运行。它提供数据采集、报警显示和记录、用于温度控制的无限配方配置文件、安全性、配置设置等功能。电脑是安装在控制台上的工业平板电脑，可抵御恶劣环境。 一般规格 ...

温度: 2,600, 2,300, 2,200, 1,650 °C

... 我们的 25 - 100 吨热压炉具有更大的炉腔尺寸，安装在大型 4 柱框架内，额定功率为 25 - 100 吨。增量压机的大小为 25、50、75 和 100 吨。 这些炉型的行程为 6 英寸（152 毫米），可用于增大样品或模具尺寸。 温度和材料规格与小型热压机相似，安装压杆时最高温度为 2300°C，批量配置时为 2600°C。 标准可用区为直径 12 英寸 x 高 12 英寸（305 毫米 x 305 毫米），也可提供其他尺寸。 如有需要，温度曲线可与压力或行程控制曲线自动同步。还可以设置温度曲线，以便在达到预设压力后从行程控制切换到压力控制。温度控制通过热电偶和/或高温计来实现。该炉可轻松转换为批量生产用炉。 一般规格： 热区尺寸：12 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... 电弧 熔化炉 SA-200 是我们最小的电弧 熔化炉，有一个 2 英寸（51 毫米）的铜炉膛，用于盛放样品材料。SA-200 有一个单弧，是一个完整的交钥匙系统，可以瞬间达到 3500°C 以上的温度。该系统是大学或研发实验室的理想之选；它是我们成本最低的电弧 熔化炉，配有排空/气体系统和 100% 工作循环电源。 SA-200 操作非常简单，能产生纯度极高的熔液，并能瞬间达到高温。SA-200 可配备各种选件和附件。对于熔体材料具有导电性的应用场合，电弧 熔化炉是感应加热炉或电阻加热炉的一种成本节约型替代产品 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... TA-200 电弧 熔化炉与我们的 SA-200 电弧 熔化炉相同，但它有三个而不是一个激振杆，因此熔体更大更均匀。它的电源容量更大，可容纳三个电弧。 由于增加了多个电极，熔池可以被焊接电弧 "搅拌 "或搅动，以改善合金样品的混合，而不必担心机械污染。 这种电弧熔炉有一个 2 英寸（51 毫米）的铜炉膛，炉膛内有盛放样品材料的坩埚。TA-200 型三弧熔炉是一个完整的交钥匙系统，可瞬间达到 3500°C 以上的温度。如果在订购时说明，还可以定制炉腔以生产特定形状的熔体，无需额外费用。 该系统是大学或研发实验室的理想选择 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... ABJ-338 型电弧 熔化炉是我们的小型钟罩式电弧 熔化炉。与 SA-200 或 TA-200 型电弧 熔化炉不同的是，该炉的炉腔不是从底部装料，而是向后铰接，以便于进入装料区、炉膛和炉腔。 3.38 英寸（86 毫米）的炉盘还允许使用多个坩埚，而 SA/TA-200 只允许使用一个坩埚。该钟形炉是一个完整的水冷交钥匙系统，可持续高温使用，配有安全水流互锁装置、安全绝缘波纹管、排空/气体系统和 100% ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... 电弧 熔化炉ABJ-900是我们最大的系统，用于3500℃以上的持续使用，具有安全的水流联锁、绝缘波纹管、排空/气体系统和重型电源。炉膛向后铰链，可以完全进入炉膛区域和炉膛内部，便于装载、卸载、清洁和维护。 炉盘包括许多可能的 熔化腔配置，如果在订货时指定，可提供定制设计，不需额外费用。 熔化区是一个9.00英寸（229毫米）直径的炉膛腔。弧形 熔化炉提供极其纯净的熔体。可提供高真空涡轮泵系统和其他附件。 一般规格 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... 三弧 熔化炉 ABJ-900-3 与 ABJ-900 相同，是我们最大的电弧 熔化炉，炉膛为 9 英寸（229 毫米）。该炉可瞬间达到 3500°C 以上的温度。 三重电弧选项使 熔化更加均匀，无需卸载和重新装载即可处理较大的批量。不同的材料也可以放置在不同的坩埚中同时 熔化。 晶体生长选件允许从中心坩埚拉出最大 4 英寸（100 毫米）的晶体。高真空系统选件可在需要时进行超纯 熔化。所有组件均可通过直观的可选触摸面板屏幕进行操作。 如果您在订购时指定了腔体形状，还可以免费定制腔体形状。 一般规格 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... 我们采用 Czochralski 方法生长实验室大小晶体的最低成本炉是带有晶体生长选项的电弧 熔化炉 TA-200。该选项增加了用于生长半导体材料（硅、锗和砷化镓）、金属、盐类和合成宝石单晶的所有组件。 该炉使用三条电弧，可 熔化 3500°C 以上的材料。然后，连接在种子棒上的晶体种子会下降到盛有熔液的 2 英寸（50 毫米）坩埚中。控制装置通过编程拉动晶体生长。 拉动速度可调，控制精度低至 0.001 毫米/分钟。提供一个单独的电机来旋转 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... 带有晶体生长选项的 ABJ-900-3 型电弧 熔化炉是 TA-200 型电弧 熔化炉的升级版，具有更大的炉腔、更大的电源、顶部装载（而非底部装载）以方便存取，以及更大的熔体。晶体生长组件采用 Czochralski 方法，用于生长半导体材料、金属、盐类和合成宝石的单晶体。 该熔炉有三个电刺，可在三个不同的地方同时用三个电弧 熔化材料。该熔炉能够 熔化 3500°C 以上的材料。然后，连接在种籽棒上的晶体种籽会下降到容纳熔液的 ...