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KLA晶圆用测量系统
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... PWG™ 图案化 晶圆几何量测平台可为先进的 3D NAND、DRAM 和逻辑制造商提供完整的高密度的 晶圆形变、 晶圆平整度和双面纳米形貌量测数据。PWG5™ 具备高分辨率和高数据密度,可 测量应力引起的 晶圆形状变化、 晶圆形状引起的图案叠对误差、 晶圆厚度变化以及 晶圆正面和背面形貌。凭借业界极佳的动态范围,PWG5支持在线监测与控制 晶圆翘曲和应力,这些翘曲和应力是由于制造高级3D ...
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... 等离子蚀刻 晶圆温度(20° 至 140°C) 测量 系统 EtchTemp Series 晶圆温度 测量 系统,可用于 300mm 和 200mm 配置,记录等离子蚀刻工艺环境对真实工艺条件下生产 晶圆的影响。 EtchTemp-HD 测量 系统包含高密度传感器,能够实现 晶圆整体温度监测,而这与导体蚀刻工艺的 ...
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... HighTemp™ 系列原位 晶圆温度 测量 系统提供 300 毫米和 200 毫米两种配置,旨在优化和监控先进的薄膜工艺(FEOL 和 BEOL ALD、CVD 和 PVD)以及其他高温工艺。 HighTemp 无线 晶圆 测量制程设备的热均匀性,可以让您全面了解实际生产工艺条件下实时收集的时间和空间温度数据。在特定应用条件下(如等离子体环境)的温度变化,会影响工艺窗口和图案化性能。HighTemp ...
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... 湿法工艺 晶圆温度(15° 至 140°C) 测量 系统 WetTemp 晶圆温度 测量 系统提供 300mm 和 200mm 两种配置,支持湿法清洁和其他湿法工艺的监测。 WetTemp Series 晶圆与大多数单 晶圆湿法清洁工艺 系统兼容,以帮助工程师验证湿法清洁设备、优化湿法清洁工艺和改进湿法清洁 系统性能。 主要应用 工艺开发、工艺验证、工艺设备监测、工艺设备验证、工艺设备匹配 湿法蚀刻,湿法清洁 ...
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... 300mm UV Wafer™ 紫外线 (UV) 光强 测量 系统利用无线传感器 晶圆技术,可 测量薄膜沉积工艺设备 晶圆表面的紫外线光剂量和强度。UV Wafer 实现了先前无法实现的工艺优化和监控,可提供从用于退火或固化 FCVD(可流动)氧化物和低介电系数薄膜的紫外灯到达 晶圆表面的光强度的相关时空信息。UV ...
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... 出厂光罩质量检查,光罩写入仪认证和监控,光罩工艺监控, 晶圆图案化控制 相关产品 LMS IPRO6: 用于10nm设计节点的光罩量测 系统,能够 测量标准定位标记和器件上图形特征。 LMS IPRO4: 用于32nm / 28nm设计节点的光罩 测量 系统。 LMS IPRO4在行业内独具灵活的4寸至8寸的光罩尺寸处理能力。 ...
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