HG Farley LaserLab Co/法利莱晶圆切割机

... 该设备用于半导体行业中8英寸及以上芯片密封和测试工厂的硅基晶圆的激光修改和切割。 -质量高 表面无损伤，无切缝，边缘塌陷非常小（≤2 μ m），边缘小（< 3 μ m）。 -效率高 可采用多焦点修改模式，使切割效率成倍提高。 -稳定性好 该激光器具有较高的平均功率稳定性（24小时内≤±3%）和较高的光束质量（M ² < 1.5) ...

... 超紫皮秒激光器用于硅和化合物半导体晶片的精密半切割或全切割。 - 高质量 切割线宽度窄（以紫外准直为例，切割线宽度+HAZ≤20±5 μ m） 边缘塌陷小（≤10 μ m）。 - 效率高 UPH≥10（紫外准直仪：以3英寸双崮硅二极管晶片为例，包括自动对位时间） - 稳定性好 激光器具有高脉冲稳定性（≤2% RMS）和高光束质量（M ² ≤1.2） ...

整体长度: 800 mm
整体宽度: 1,150 mm
高度: 1,700 mm

... 超紫皮秒激光器用于硅和化合物半导体晶片的精密半切割或全切割。 - 高质量 切割线宽度窄（以紫外准直为例，切割线宽度+HAZ≤20±5 μ m） 边缘塌陷小（≤10 μ m）。 - 效率高 UPH≥10（紫外准直仪：以3英寸双崮硅二极管晶片为例，包括自动对位时间） - 稳定性好 激光器具有高脉冲稳定性（≤2% RMS）和高光束质量（M ...

X轴: 250 mm
Y轴: 250 mm
切割速度: 0.001 m/s - 0.15 m/s