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电流: -0.5 A
电压: -50 V
... 50A02CH 是双极 晶体 管，-50V，-0.5A，低 VCE(sat)，PNP 单，适用于低频率通用放大器应用。 ...
Onsemi
电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V
... VIPower（垂直智能电源）技术的汽车级智能3和5引脚低端开关（OMNIFET）。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路，以驱动垂直结构 功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关，可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入（或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入）。此类器件与 功率MOSFET引脚兼容，能够确保实时负载控制，具有过热保护功能，因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 ...
STMicroelectronics
电压: 7.5 V
... 941 MHz之间 未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围 集成的 ESD保护 集成的稳定性增强功能 宽带 - 整个频段全 功率 卓越的热性能 非常耐用 高线性度：TETRA、SSB 符合RoHS规范 输出级VHF频段手持无线电 输出级UHF频段手持无线电 输出级700-800 MHz手持无线电 面向ISM和广播末级 晶体 管的通用6 ...
电压: 110, 265 V
... 产品描述： TopSwitch-Hx 在单芯片器件上集成了一个 700 V 功率 MOSFET、高压开关电流源、PWM 控制、振荡器、热关断电路、故障保护和其他控制电路。 更低的系统成本，更高的设计灵活性， 多模式操作可最大限度地提高所有负载的效率， 新的 ESIP-7C 和 ESIP-7F 封装基于 PI 经验，具有高 功率和高可靠性封装 无需高达 35 W（230 VAC 时高达 48 W）的散热器，采用 P、G 或 M 封装 输出 ...
Power Integrations
电流: 1 A - 5 A
电压: 12 V - 400 V
... 在双极 晶体 管方面，二极管是市场领导者。 凭借其广泛的内部封装和卓越的硅技术，Diodes 处于理想的位置，可满足您对双极 晶体 管的应用需求。 持续创新 双极 晶体 管产品组合基于我们一系列创新矩阵发射器工艺。 多年的专业知识、前沿设计和工艺创新，扩大了我们在构建超低饱和度、快速开关 晶体 管方面的领先地位。 ...
电压: 45 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51、BCX52 和 BCX53 型是 PNP 硅 晶体 管，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模压，表面贴装封装。 采用外延平面工艺制造，环氧树脂模压，表面贴装封装，专为大电流通用放大器应用而设计。 标记代码：参见下页的标记代码表 ...
Central Semiconductor
... Avago 拥有广泛的硅双极射频 晶体 管和 GaAs FET 产品组合。 GaAs FET 射频 晶体 管是基站 LNA 第一级或第二级的理想选择，因为它具有低噪声系数和增强的线性度。 Avagos 双极射频 晶体 管提供高性能，在低电压操作时针对最大 FT 进行了优化，使其成为无线市场电池供电应用的理想选择。 ...