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电流: -16.4 A
电压: -60 V
... 封装: DPAK (TO-252)
应用与定位
- 适用于需要 DPAK 封装 P 沟道 MOSFET 的电路中的 P 通道开关、负载切换和板级电源管理。
技术特性 / 规格
- 器件类型: P 沟道功率 MOSFET
- VDS (max): -60 V
- RDS(on)
Infineon Technologies AG
电流: 40 A
电压: 40 V
... BSZ063N04LS6 是一款 40 V 额定的 OptiMOS 6 技术功率 N 沟道
MOSFET，专为开关电源 (SMPS)、电池充电器和 ORing 应用设计。与前代相比，其 RDS(on) 约降低 30%，并符合 RoHS 要求。
主要特性
- 额定电压：40 V
- 工艺：OptiMOS 6
- 器件类型：N 沟道功率 MOSFET
- 导通电阻改进：RDS(on)
Infineon Technologies AG
电流: 61 A
电压: 600 V
... 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 ...
Infineon Technologies AG
电流: 61 A
电压: 600 V
... 优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性 CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ...
Infineon Technologies AG
电流: 61 A
电压: 600 V
... 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 ...
Infineon Technologies AG
电流: 20 A
电压: 600 V
... 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 ...
Infineon Technologies AG
电流: 18 A
电压: 600 V
... 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 ...
Infineon Technologies AG
电流: 9 A
电压: 600 V
... 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 ...
Infineon Technologies AG
电流: 101 A
电压: 600 V
... 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 ...
Infineon Technologies AG
电流: 101 A
电压: 600 V
... 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 ...
Infineon Technologies AG