升华作用炉 SiCube晶体生长钟形燃气
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产品规格型号
- 功能
- 升华作用, 晶体生长
- 配置
- 钟形
- 热源
- 燃气
- 气体环境
- 高真空型
- 其他特性
- 用于金属锭
- 温度
2,600 °C
(4,712 °F)
产品介绍
HTCVT/HTCVD系统专为碳化硅 (SiC) 晶体在高温下升华/热分解 (热解) 而设计。 通过高真空能力，可以在工艺开始之前实现水和氧气的超清洁表面。 系统设计允许使用直径达 4 英寸的基材（种子）。
技术规格
反应器管
工作压力：
约 5-900 mbar
工作温度：
最大 2,600° C
电源
功率：
最大 80 kW
频率：
6-8 kHz
优点 HTCVD：
高纯度SiC-材料
调整C/Si比
掺杂 优点升华：
众所周知的技术
满足功率基板
应用的要求
-PFC（功率因数转换器）
-混合技术的逆变器和转换器
-太阳能发电逆变器
-高频电子
-光电子
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