升华作用炉 baSiC-T
晶体生长钟形燃气

升华作用炉
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产品规格型号

功能
升华作用, 晶体生长
配置
钟形
热源
燃气
其他特性
用于金属锭
温度

2,600 °C
(4,712 °F)

产品介绍

PVA Te... 物理气相传输(pvt)系统 baSiC-T 是专为碳化硅(SiC)晶体生长而设计的,采用源粉末在高温下升华的方式。baSiC-T 系统的设计基于模块化概念,允许使用直径达 6´´ 的基底(种子)。 新一代 SiC PVT 晶体生长炉 专为电力电子应用而设计 大规模生产的高自动化水平 提供工厂管理软件解决方案 占地面积小,布局紧凑 可用于 4´ 和 6´ 英寸 使用经过现场验证的线圈设计进行感应加热 功耗低(约 10KW @ 2,200 °C 稳定控制) 热区移动装载/卸载概念 卓越的控制系统 高度自动化的直观操作 具有增强趋势功能的过程可视化 离线配方设置解决方案,通过参数集提供大量配方选项 长期过程数据记录和长期数据检索 控制系统和可视化系统独立运行(安全概念) 可通过参数组配置的系统控制回路 卓越的安全理念 符合 CE 标准 不同级别的系统安全组件确保操作安全 质量测量和扩展质量文档 与客户、机构和部件供应商密切合作

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PDF产品目录

baSiC-T
baSiC-T
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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。