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SEM样本制备系统
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... 玻璃化冷冻结构对环境影响极其敏感,需要对其加以保护以免形成假象。在理想条件下制备用于详细图像评估的样品: • - 在样品周围采取冷屏蔽措施,避免水分子在样品上冻结 • - 在整个过程中精确控制温度 • - 清洁的刀具 – 每次切片均使用干净的刀片,避免污染 • - 及时、迅速的电子束镀膜,捕获详细的表面信息 • - 在受保护的真空状态下转移到其他分析系统 ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
... 使用徕卡EM VCT500,你可以在冷冻或常温,真空或保护气体条件下传输样品。 徕卡 EM VCT500 始终连接 • - 连接您的工作流程系统 • - 凭借主动样品冷却和全新的阀门概念优化您的样品传输 • - 对接后在工作流程中随时监控样品的温度和真空度 ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
... 徕卡EM TXP 标靶面制备系统具有定点修块抛光功能,是用锯,磨,铣削,抛光样品后,供扫描电镜,透射电镜,和LM技术检测。 带有一体化体视镜,用于精确定位及对较细微难以观察的目标位置进行样品处理时观察;使用样品旋转手柄,可以改变样品观察角度,0°-60°可调,或者垂直于样品前表面90°观察,可利用目镜刻度标尺测量距离。 ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
... 新版 EM TIC 3X 恪守我们的格言:与用户合作,使用户受益”,以注重实用性的方式将性能和灵活性理想融合。 最新的 EM TIC 3X 切割速度翻倍,根据您的应用需求提供五种不同的载物台供您选择,实用性得到进一步提升。 ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
... Leica EM TRIM2 是一套高速研磨修块系统,一体化体视镜和LED环型照明,为生物和工业样品进行修块。 Leica EM TRIM2 铣刀研磨步进为1μm,可垂直观察,方便精细修块时的定位,并带有吸尘装置,防止粉尘污染。 ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
... ARTOS 3D (序列断层成像解决方案) 通过扫描电镜 ( SEM) 自动创建并收集数以百计完全适用于序列断层成像的连续切片带。节省生物样品制备和 SEM 设置环节的时间和精力,因此您可快速获得图像来解答关键的研究问题。 • - 预设 ARTOS 3D,使其自动制作出上百个切面尺寸灵活 (微米到毫米) 的超薄切片带 • - ARTOS 3D 可完整采集完全对准的切片带,避免耗时难处理的手动采集 • - 可同时装载多个高密度切片的托架,节省 ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
... 仅需数分钟,就可以将您的Leica EM FC7冷冻超薄切片附件安装到Leica EM UC6或Leica EM UC7超薄切片机上,将其转换成一台冷冻超薄切片机。冷冻切片温度控制范围-15℃ - -185℃,适用于透射电子显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜和光学显微镜的样品切片制备。 仅需4步,即可获得优质的冷冻超薄切片……请单击“Gallery” ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
... 为 SEM和TEM分析生产同质和导电的金属或碳涂层,之前从未有过比与Leica EM ACE200涂层系统更方便的设备了。 配置为溅射镀膜机或碳丝蒸发镀膜机后,可以在全自动化系统中获得可重复的结果,实现了一台EM ACE200具有喷金仪,喷碳仪,蒸镀仪三种功能。如果您的分析需要这两种方法,徕卡显微系统在一台仪器中提供可互换机头的组合仪表。 各个选项,如石英晶体测量、行星旋转、辉光放电和可交换屏蔽共同构成这台低真空镀膜机。 ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
... 您选择了用于TEM和FE- SEM分析的最高分辨率。 Leica EM ACE600是优良的多用途高真空薄膜沉积系统,设计来根据您的FE- SEM和TEM应用的需要生产非常薄的,细粒度的和导电的金属和碳涂层,用于最高分辨率分析。 这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。 适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM VCT真空冷冻传输系统,是无污染的低温扫描电镜样本制备的理想解决方案。 ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
... SEM 和 STEM / TEM 用户都知道这个问题:高分辨率成像通常会因观察区域碳膜的快速堆积而受到影响(如果不是完全不可能的话)。这通常是由气态碳氢化合物引起的,它们在观察过程中由于电子束的能量传递而不断沉积。这些碳氢化合物的来源可能是真空室的真空度不理想,通常可以使用高能量输入的等离子清洁器或日立准分子光源 "Sparkle "来改善真空度。 不过,在大多数情况下,观察对象和样品架本身才是主要的污染源。在这种情况下,等离子处理往往过于粗糙,会改变甚至破坏样品。日立用于 ...
Hitachi High-Tech Europe GmbH/日立
... 日立离子研磨仪标准机型IM4000Ⅱ能够进行截面研磨和平面研磨。还可通过低温控制及真空转移等各种选配功能,针对不同样品进行截面研磨。 高效率的截面研磨 IM4000II配备截面研磨能力达到500 µm/h*1以上的高效率离子枪。因此,即使是硬质材料,也可以高效地制备出截面样品。 截面研磨时如果摆动的角度发生变化,加工的宽度和深度也会发生变化。下图为Si片在摆动角度为±15°下进行截面研磨后的结果。除摆动角度以外,其他条件与上述加工条件一致。通过与上面结果进行对比后,可发现加工的深度变深。 对于观察目标位于深处的样品来说,能够对样品进行更快速的截面研磨。 截面研磨 即使是由不同硬度以及研磨速度材质所构成的复合材料,也可以通过IM4000Ⅱ制备出平滑的研磨面 优化加工条件,降低因离子束所致样品的损伤 可装载最大20 ...
Hitachi High-Tech Europe GmbH/日立
... ArBlade 5000是日立离子研磨仪的高性能机型。 它实现了超高速截面研磨。 高效率截面加工功能,使电镜截面观察时样品加工更简单。 特点 截面研磨速率高达1 mm/h*1! 新研发的PLUSII离子枪发射出高电流密度离子束,大幅提高*2了研磨速率。 *1 Si突出遮挡板边缘100 µm,1个小时最大加工深度 *2 研磨速率是本公司产品(IM4000PLUS:2014生产)的2倍 截面研磨结果对比 (样品:自动铅笔芯、研磨时间:1.5小时) 最大截面研磨宽度可达8 ...
Hitachi High-Tech Europe GmbH/日立
... SEM 和 STEM / TEM 用户都知道这个问题:高分辨率成像通常会因观察区域碳膜的快速堆积而受到影响(如果不是完全不可能的话)。这通常是由气态碳氢化合物引起的,它们在观察过程中由于电子束的能量传递而不断沉积。这些碳氢化合物的来源可能是真空室的真空度不理想,通常可以使用高能量输入的等离子清洁器或日立准分子光源 "Sparkle "来改善真空度。 不过,在大多数情况下,观察对象和样品架本身才是主要的污染源。在这种情况下,等离子处理往往过于粗糙,会改变甚至破坏样品。日立用于 ...
Hitachi High-Tech Europe GmbH/日立
... Markes International 的 Centri® 平台是首个提供高灵敏度、无人值守采样以及液体、固体和气体样品中 VOC 和 SVOC 预浓缩的系统。利用 Markes 先进的捕集技术,Centri 提高了灵敏度,并扩展了用于 GC-MS 的几种常用样品引入技术的性能: HiSorb™ 高容量吸附萃取。 顶空和顶空捕集。 符合方法要求的热解吸。 SPME 和 SPME-阱。 使用基于顶空、SPME 和 SPME Arrow 的工作流程进行高通量、常规、高灵敏度自动分析的平台,基于捕集阱的预浓缩提供了额外的色谱性能。 除了先进的水管理选项外,Centri ...