概述Hitachi 的 IM4000II 与 IM5000 离子研磨系统可为扫描电子显微镜(SEM)及相关表面分析技术提供精密试样制备。适用于金属、半导体、聚合物、陶瓷及多层材料,能够以最小的工艺伪影获得高质量断面和表面抛光。两款设备面向科研、工业质控与材料科学实验室,提供可重复的高速制样性能,满足先进电子显微成像的需求。
主要特点- 高研磨速率:对硬材料具有快速去除能力。
- 断面与平面研磨模式:可根据样品类型灵活选择。
- 低温冷却(可选):保护对温度敏感的样品。
- 友好的人机界面:触控屏与可编程循环操作。
- SEM/AFM 兼容性:可与 Hitachi 及第三方显微镜集成;支持气氛保护转移的 Holder Unit。
功能与优势- 产能:IM4000II 约 500 μm/h(Si,突出 100 μm);IM5000 ≥ 1 mm/h(相同条件),可缩短制样周期。
- 模式多样性:断面研磨得到平滑、无畸变的断面;平面研磨去除表面层伪影,有利于 EBSD 等分析。
- 大面积断面研磨(IM5000):可实现最大 10 mm 宽的均匀加工,适用于大型电子器件与工业样品。
- 低温选件:温控范围 0°C 至 −100°C(液氮),用于保护聚合物、生物样品及其他耐热性差的材料。
- 束流控制:可编程间歇照射(ON/OFF 周期)与可调加速电压,适合束敏材料加工。
- 工作流集成:兼容 Hitachi SEM 与第三方系统;可选夹具与掩膜以实现惰性转移与提高束耐受性。
应用- 金属与合金 — 微观结构分析与断面观察。
- 电池 — 电极与多层电池组件的断面制备。
- 电子与半导体 — 暴露集成电路与器件的层与界面。
- 聚合物与软材料 — 低温制备以避免变形。
- 多层薄膜与涂层 — 层成分与结合性研究。
- 硬质工业材料 — SEM 与表面分析的样品制备。
规格(摘要)使用气体 : Ar(氩)
加速电压 : IM4000II 0–6 kV | IM5000 0–8 kV
最大研磨速率(Si,突出100 μm) : IM4000II ≈ 500 μm/h | IM5000 ≥ 1 mm/h
最大研磨宽度 : IM4000II 无 | IM5000 最宽 10 mm
最大样品尺寸 : 20 mm(W)× 12 mm(D)× 8 mm(H)
样品移动范围 : X ±7 mm,Y 0 至 +3 mm
离子束间歇照射 : 可编程 ON/OFF(1 s 至 59 min 59 s)
摆动角 : ±15°、±30°、±40°
平面研磨区域 : φ32 mm;最大平面研磨样品 φ50 × 25 mm(H)
旋转速度 : 1 rpm、25 rpm
倾角范围 : 0° 至 90°
冷却温度控制(可选) : 0°C 至 −100°C(液氮)
技术规格- 气体:Argon(Ar)。
- 加速电压:IM4000II 0–6 kV;IM5000 0–8 kV。
- 研磨速率:IM4000II ≈ 500 μm/h;IM5000 ≥ 1 mm/h(Si,突出100 μm)。
- 大面积断面研磨:IM5000 最宽 10 mm;IM4000II 不支持。
- 最大样品尺寸与平面研磨尺寸见上文。
- 可编程间歇照射与可调束参数以处理束敏材料。
- 可选模块:温控单元、高耐束掩模、立体显微镜单元(15×–100×)、Air protection Holder Unit 及安装配件。