{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
电流: 280 mA
... 描述： 中央半导体 CMLM0205 是一款多离散模块™，由一个 N 沟道 MOSFET 和一个低 VF 肖特基二极管组成，采用节省空间的 SOT-563 外壳。该 器件专为小信号通用应用而设计，其尺寸和运行效率是主要要求。 • 组合： N 沟道 MOSFET 和 低 VF 肖特基二极管。 ...
Central Semiconductor
电流: 650 mA
电压: 40 V
... 描述： 中央半导体 CMLM0575 是一款多离散模块™，由单 N 沟道增强模式 MOSFET 和低 VF 肖特基二极管组成，采用节省空间的 SOT-563 表面贴装外壳。该器件专为小信号通用应用而设计，其尺寸和运行效率是主要要求。 特点： • 高电流 MOSFET（ID=650 mA）• ESD 保护高达 2kV • 低 RD（ON）MOSFET（最大值 ...
Central Semiconductor
电流: 7 A - 12.7 A
电压: 30 V
... DIOFET 是一种专有工艺，将功率 MOSFET 与肖特基二极管的单片集成到单个硅芯片中。 集成的肖特基可将体二极管的正向电压降降低近 50%，并且具有较低的反向恢复电荷。 在应用中，这意味着降低了传导和开关损耗，并且总体而言，电路将以更高的效率工作，同时降低工作温度。 此外，DIOFET 是一种坚固的雪崩工艺，这些器件具有低栅极电容比，可降低穿透电流的风险。 DIOFET 非常适合用于计算、电信和工业应用的负载点 (POL) ...
请说明：
您的建议是我们进步的动力：
剩余字数