FET晶体管

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FET晶体管
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... Avago 拥有广泛的硅双极射频晶体管和 GaAs FET 产品组合。 GaAs FET 射频晶体管是基站 LNA 第一级或第二级的理想选择,因为它具有低噪声系数和增强的线性度。 Avagos 双极射频晶体管提供高性能,在低电压操作时针对最大 FT 进行了优化,使其成为无线市场电池供电应用的理想选择。 ...

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ATF-33143

... 具有超低噪音 PHEMT。 该工艺经过优化,为关键的蜂窝/PC基站和其他无线射频应用提供极低的噪声系数、高部件间一致性和出色的可靠性。 ATF-33143 采用微型 SOT-343 封装包装。 NF = 0.5 分贝,Ga = 15 分贝,P1 分贝 = 22 分贝,OIP3 在 4V、80mA(2 千兆赫)时为 33.5 分贝 ...

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ATF-35143

... ATF-35143 是一款高动态范围、低噪声的 PHEMT,采用 4 引脚 SC-70 表面贴装塑料封装。 ...

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ATF-511P8

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CMPFJ175

... 描述: 中央半导体 CMPFJ175 和 CMPFJ176 是环氧树脂成型 P 沟道 JFET,采用 SOT-23 外壳制造,专为低电平放大器应用而设计。 标记代码: 中国元素标记码 175:6 瓦中国元素标记码:6 倍 ...

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CMPFJ176

电压: 30 V

... 描述: 中央半导体 CMPFJ175 和 CMPFJ176 是环氧树脂成型 P 沟道 JFET,采用 SOT-23 外壳制造,专为低电平放大器应用而设计。 标记代码: 中国元素标记码 175:6 瓦中国元素标记码:6 倍 ...

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