电子元件镀膜机

... 在陶瓷介质滤波器上进行 PVD 直接镀银是一种先进的涂层技术，可用于 5G 基站和其他电子工业半导体。其中一个典型应用是陶瓷辐射基板。通过 PVD 真空溅射技术在氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）基板上沉积银/铜导电膜，与传统的制造方法相比，具有很大的优势：DBC LTCC HTCC 生产成本更低。皇家技术团队与客户合作开发的 PVD 镀银工艺成功应用了溅射技术，可取代传统的液态刷银工艺。 ...

... 电子 Cooper 溅射系统 / ...电子芯片直接镀铜溅射设备 库柏磁控溅射镀膜设备在...电子设备上的应用 DPC 工艺 - 直接镀铜是应用于 LED / 半导体 / 电子工业的先进镀膜技术。其中一个典型应用是陶瓷辐射基板。 与传统的制造方法相比，DPC 工艺采用 PVD 真空溅射技术在 Al2O3、AlN、Si、玻璃基板上沉积库珀导电膜： DBC LTCC HTCC 的特点： 1.生产成本更低。 2.出色的热管理和传热性能 3.精确的对齐和图案设计 4.电路密度高 5.良好的附着性和可焊性 皇家技术团队协助客户利用 ...

... 中频/直流磁控溅射沉积设备，扁平餐具上的 PVD 溅射，不锈钢电子元件 摘要：PVD 电弧蒸发与 MF 溅射技术完美结合，可在产品表面生成高质量的功能性和美观性涂层。 为什么采用中频溅射？ 与直流和射频溅射相比，中频溅射已成为大规模生产涂层的主要薄膜溅射技术，特别是用于光学涂层、太阳能电池板、多层、复合材料薄膜等表面的电介质和非导电薄膜涂层的薄膜沉积。 它正在取代射频溅射，因为它的工作频率是千赫兹而不是兆赫兹，沉积速度更快，而且还能避免像直流电那样在复合薄膜沉积过程中出现的目标中毒现象。 中频溅射靶材总是有两组。使用两个阴极，交流电在两个阴极之间来回切换，每次反向切换都会清洁靶材表面，以减少电介质上的电荷积聚，而电介质上的电荷积聚会导致电弧，电弧会将液滴喷入等离子体，阻碍薄膜的均匀生长--这就是我们所说的 ...

... PVD 机型：RTSP1215-MF 是专为在铜电路板上沉积 TiN 金涂层而设计开发的。TiN 薄膜在高真空环境下生成，从而大大提高了均匀性和纯度。 铜电路板 TiN PVD 涂层机的设计特点： 1.8 侧腔体，配有等尺寸的安装法兰，可根据镀膜工艺需求灵活组装和交换离子源、溅射阴极或电弧阴极。 2.设计紧凑，仅占地 20 平方米； 3.离子源用于等离子清洗预处理，离子束辅助沉积可增强薄膜附着力。 4.高抽速封装和稳定的配置，磁悬浮分子泵可安装在任何方向。 铜电路板 TiN PVD 涂层设备规格 性能参数 1.极限真空压力：优于 ...

... 陶瓷辐射基板库珀磁控溅射镀膜设备/陶瓷芯片直接镀铜溅射设备 陶瓷辐射基片上的库珀磁控溅射镀膜设备 DPC 工艺--直接镀铜是一种先进的镀膜技术，应用于 LED、半导体和电子行业。其中一个典型应用是陶瓷辐射基板。 与传统制造方法相比，DPC 工艺采用 PVD 真空溅射技术在 Al2O3、AlN、Si、玻璃基板上沉积库珀导电膜： DBC LTCC HTCC 的特点： 1.生产成本更低。 2.出色的热管理和传热性能 3.精确的排列和图案设计 4.电路密度高 5.良好的附着性和可焊性 皇家技术团队协助客户利用 ...

... 手机外壳中使用的屏蔽涂层 铜 PVD 热蒸发镀膜机，铜溅射沉积系统 RTEP1616-SPDC PVD 铜真空镀膜机由热蒸发和溅射沉积源、真空镀膜室、真空泵系统、沉积系统、冷却系统、电气控制系统、工件旋转架组成。 热蒸发和溅射金属化机的特点： 双腔体，可进行独立的装载操作。 四种镀膜工艺模式可供选择。 可选项：可安装射频发生器或磁控溅射源进行表面镀膜。 采用行星旋转机构，可在曲面基底上实现良好的薄膜均匀性。 热蒸发和溅射金属化机的应用： 塑料餐具、陶瓷、电子产品、手机外壳、NCVM ...

... RTEP1616-SP 真空镀金属机专为 EMI 屏蔽薄膜和 NCVM 填充膜沉积而设计，广泛应用于电信设备、计算机、笔记本电脑、消费类电子产品、家用电器、航空航天和...物品。 我们的客户包括三星、苹果、联想、华为等电子产品制造商。 腔体直径 1600 毫米，高度 1600 毫米，可容纳各种产品。 EMI 屏蔽膜特性 1) 薄膜厚度：1.5 ~ 3 微米，视要求而定。 2) 薄膜电阻：（欧姆）优于 0.5Ω 3) 附着力：3M810 胶带 > 5B EMI 屏蔽膜涂层工艺 4) 不锈钢直流溅射 5) ...