晶圆用测量系统

克尔效应激光光学

利用极性磁光克尔效应 (MOKE)，可以快速、全面地检测晶片堆的磁特性。 非接触式测量避免了传统磁性表征对晶圆的损害，可用于图案化前后的样品检测。 Wafer Moke 可提供高达 2.5T 的垂直磁场/1.3T 的平面磁场，强磁场可诱导垂直各向异性磁随机存取存储器（MRAM）膜堆的自由层、参考层和引脚层翻转； 超高的克尔检测灵敏度，可同时表征不同薄膜层的微妙磁性变化。将激光逐点检测与扫描成像相结合，可以快速绘制出晶片磁性能的全局图，有助于工艺优化和产量控制。 性能指标和优势 ▹样品尺寸：支持最大 12 英寸晶片测试，并向后兼容，支持片段测试； ▹磁场：最大垂直磁场优于 ±2.5T，磁场分辨率为 1 μT； 磁检测灵敏度：克尔旋转角的检测度优于 0.3 mdeg（有效值），适用于多层膜堆的磁表征； 样品重复定位精度：优于±1 μm，静态抖动≤±0.25 μm。 功能和应用场景 MRAM 堆栈和器件阵列的垂直磁滞环测量（MRAM 的极性克尔）； 磁盘等磁存储介质的垂直磁滞回线测量（用于 PMR 磁盘的极坐标测量）；