MOSFET SIR5402DP

概述
TrenchFET® Gen IV 技术的 N 沟道 40 V（D-S）MOSFET，适用于功率开关和逆变器应用。

主要特性

• TrenchFET® Gen IV 标准级 MOSFET
• High Vth 设计以降低噪声并提高栅极稳定性
• 优化的 Qgd / Qgs 比以实现高效开关

文档

• 数据手册 — N 沟道 40 V（D-S）MOSFET（SIR5402DP）
• 零件标记信息 — 多种 PowerPAK® 与 PowerPAIR® 标记细节
• 焊盘图（PAD Pattern）— PowerPAK® SO-8 Single 推荐最小焊盘
• 应用说明 AN821 — PowerPAK® SO-8 的安装与热特性注意事项
• 卷盘信息 — 卷盘包装数据
• 带盘信息 — PowerPAK® SOIC-8 的带盘规格
• 封装信息 — PowerPAK® SO-8（单/双）封装图纸与细节
• 封装可靠性 — PowerPAK® SO-8 焊接工艺的环境与封装测试数据
• 产品可靠性 — 530MC SG 工艺技术的可靠性数据
• 选型指南 — 面向 AI 服务器电源解决方案的 MOSFET 选型指南

附加产品说明

• 提供 ECAD 模型（可从 Ultra Librarian 下载）
• 产品页面提供“Buy Now / Request Sample”购买/样品申请链接

规格

• 型号：SIR5402DP
• 器件类型：N 沟道 MOSFET
• 漏-源电压（VDS）：40 V（D-S）
• 工艺 / 技术：TrenchFET® Gen IV（标准级）
• 设计要点：High Vth 降低噪声；优化的 Qgd / Qgs 比
• 封装选项：PowerPAK® SO-8 及多种 PowerPAK® / PowerPAIR® 变体（详见封装文档）
• 典型文档：数据手册、标记信息、焊盘/布局建议、安装/热应用说明、卷盘/带盘包装信息、封装图纸、可靠性数据、选型指南
• Vishay 产品页面 ID 参考：61684