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雪崩光电二极管 XSJ-10-APD5-50P-X
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雪崩光电二极管
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产品规格型号

技术参数
雪崩
安装类型
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产品介绍

该10G雪崩光电二极管芯片(APD芯片)为上P电极,下N电极结构,顶照有源面积大小为Φ50μm。本产品具有高倍增、低电容、高带宽、低温度系数、可靠性优异等特点,适用于10G SONET/SDH和10G PON光接收机。 产品特点 1. Φ50μm光探测窗口 2. 高倍增 3. 低温度系数 4. 100%测试和外观检测 5. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 6. 符合RoHS2.0要求(2011/65/EU) 应用领域 1. 10G SONET/SDH 2. 10G PON

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。