描述
该接近光传感器是InGaAs/InP正照型光电探测器芯片,平面结构,阳极在正面,阴极在背面,光敏区尺寸是570um*570um,具有高ESD、低暗电流等特点,在1300nm~1550nm波长范围内有很高的响应度,在300nm~750nm波长范围的响应度极小,解决了OLED 屏光接收问题。
产品特点
高ESD设计
正面为阳极,背面为阴极
低暗电流
高响应度、高倍增
570μm x 570μm方形光敏区
高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
应用领域
环境光感应
手机触摸屏禁用