外圆磨削中心 BOULEPRO 200

内圆CNC数控

BoulePro 200 是目前同类设备中的唯一一款，它能以更快的速度和更高的成本效益实现从坯料到铸块的转换，以满足对碳化硅（SiC）这一重要半导体材料的高需求。凭借单步双平面补偿 (SSDC) 功能，BoulePro 200 将传统上在多台机器上进行的多阶段工艺转换为单机操作，从而显著提高了每个步骤的效率和成本。 碳化硅是一种半导电或半绝缘材料，可用于二极管、MOSFETS、JFETS 等多种不同类型的电子设备中。 在需要高功率密度、高频率和高电压的应用中，碳化硅正在取代硅基器件。 电动汽车（EV）和 5G 是这类器件的主要用户 碳化硅是在高温炉中通过物理气相传输（PVT）工艺生长出来的，需要 2-4 周的时间才能长出一个只有几公斤大小的晶体（晶体块）。 然后，晶体需要被塑造成可用于晶圆制造的圆球，再切成晶圆，供设备制造商在其上制造设备 Hardinge 已开发出一种创新解决方案，将晶体生长后的晶体块加工成可用于晶圆制造的晶圆块。 BoulePro 200 为碳化硅生产商提供了一个简化晶体生长过程的途径，以满足对高质量、低成本碳化硅不断增长的需求。 为了满足下游需求，大多数生产商都在以最快的速度扩张，并需要一种方法来优化其 SiC 生产设施的各个方面。