肖特基(Schottky)二极管 SR, MBR series

径向引脚式低正向压降

沟槽MOS肖特基二极管边境的系列是与低正向电压(VF)规定值的一个非常健壮机械设计。优选为高效率和低功率损失，他们理想地说适用用于交换的电源和扭转电池保护。肖特基二极管(亦称肖特基障碍二极管)是有低正向电压下落的一个快速的开关二极管。有横跨二极管的一个小电压下落，当当前流经它。边境TH肖特基二极管有正向电压下落(0.45到0.92伏特VF范围，低于二极管的其他类型。这低正向电压下落提供更高的系统效率和更加快速的交换速度。在肖特基二极管，对金属连接点的一个半导体被形成N型的半导体作为负极，并且金属作为肖特基二极管的阳极。当选择那里时肖特基二极管是将被考虑的一些重要参量，正向电压下落(VF)，平均被矫正的潮流(IO)，并且高峰反复反向潮流(VRRM)是最共同的。肖特基二极管的低正向电压下落(VF)做于在太阳系的用途理想地说适合的他们防止电池排泄通过太阳电池板，当有一点对没有光时。肖特基二极管也用于交换方式电源作为整流器由于他们快速的反应时间和高效率。