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... SLLIMM 智能电源模块属于 IPM 系列，可组合优化的硅芯片，并集成了 3 个主逆变器模块：功率级（短路坚固的 IGBT 和自由轮流二极管）、驱动网络（分立栅电阻、高压栅极驱动器和集成 自举二极管）以及保护和可选功能（智能停机功能、用于控制温度的 NTC 传感器、用于短路和过流故障保护的比较器，以及用于高级电流检测的运算放大器）。 这些器件采用基于 DBC 的 SDIP 封装，具有极高的低热阻，但具有最高水平的质量和成本效益。 ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 8 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 8 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 8 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 8 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 30 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 低导通电压降（VCE(sat)）。 短路耐受时间10μs 低Cres/Cies比率（无交叉传导敏感度） IGBT与超快速自由旋转二极管共同封装 ...
STMicroelectronics/意法半导体
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