ROHM Semiconductor/罗姆MOSFET 模块

电流: 10 mA - 550 mA
电压: 60,000 mV - 1,500,000 mV

... 松下的光伏MOSFET大功率驱动器采用小尺寸封装（SSOP），具有较高的短路电流和MOSFET栅极的压降。该驱动器能够驱动高Vgs MOSFET，如SiC MOSFET，能够在高开关速度下实现高开关容量。 用PhotoMOS®取代标准的机电式继电器可以带来更多的好处，如更长的使用寿命、更好的抗冲击和振动能力、低导通电阻和理论上无限的使用寿命。这使得PhotoMOS®继电器成为电池监测系统、测试和测量、电力和工业市场的最佳解决方案。 微型SSOP封装 高速MOSFET操作 部件号为APV1111GVY ...

电流: 21 A
电压: 6 V - 28 V

BV1HB045EFJ-C是一款车载用单通道高边开关。内置输出异常模式接地故障检测功能（过电流限制功能）、过热保护功能、负载开路检测功能、低电压时输出OFF功能，还具有检测到异常时的诊断信息输出功能。另外，还配有针对输出电流的电流检测功能。

电流: 280 mA

... 描述： 中央半导体 CMLM0205 是一款多离散模块™，由一个 N 沟道 MOSFET 和一个低 VF 肖特基二极管组成，采用节省空间的 SOT-563 外壳。该 器件专为小信号通用应用而设计，其尺寸和运行效率是主要要求。 • 组合： N 沟道 MOSFET 和 低 VF 肖特基二极管。 ...

电流: 7 A - 12.7 A
电压: 30 V

... DIOFET 是一种专有工艺，将功率 MOSFET 与肖特基二极管的单片集成到单个硅芯片中。 集成的肖特基可将体二极管的正向电压降降低近 50%，并且具有较低的反向恢复电荷。 在应用中，这意味着降低了传导和开关损耗，并且总体而言，电路将以更高的效率工作，同时降低工作温度。 此外，DIOFET 是一种坚固的雪崩工艺，这些器件具有低栅极电容比，可降低穿透电流的风险。 DIOFET 非常适合用于计算、电信和工业应用的负载点 (POL) ...

电流: 0 A - 0.2 A
电压: 11 V - 45 V

... -96或48个高边功率MOSFET输出 -Tru-Iso™ I/O到PC 3.75kVrms光隔离 -5.5" × 5.75", -IOB-96直接与USB-DIO-96-OEM相匹配 -IOB-48直接与USB-DIO-48-OEM和ETH-DIO-48-OEM配套使用 -工业工作温度（-25℃至+85℃）。 IOB-96和IOB-48光隔离FET输出附件板的设计是为了在一个紧凑的高密度附件中为现有的TTL/CMOS ...