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电流: -16.4 A
电压: -60 V
... 普通级和逻辑级的P沟道MOSFET，降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电压: 110, 265 V
... 产品描述： TopSwitch-Hx 在单芯片器件上集成了一个 700 V 功率 MOSFET、高压开关电流源、PWM 控制、振荡器、热关断电路、故障保护和其他控制电路。 更低的系统成本，更高的设计灵活性， 多模式操作可最大限度地提高所有负载的效率， 新的 ESIP-7C 和 ESIP-7F 封装基于 PI 经验，具有高功率和高可靠性封装 无需高达 35 W（230 VAC 时高达 48 W）的散热器，采用 P、G 或 M 封装 输出 过压保护 (OVP) 是用户可编程的，用于锁存/非锁存关断，具有快速交流复位 线路欠压 ...
... Avago 拥有广泛的硅双极射频晶体管和 GaAs FET 产品组合。 GaAs FET 射频晶体管是基站 LNA 第一级或第二级的理想选择，因为它具有低噪声系数和增强的线性度。 Avagos 双极射频晶体管提供高性能，在低电压操作时针对最大 FT 进行了优化，使其成为无线市场电池供电应用的理想选择。 ...
电流: 2 A
电压: 36 V
... 使用这种MOSFET，你可以控制高达36伏的电压。通过脉冲宽度调制，可以降低均方根电压（例如，使LED灯变暗）。 兼容于 Arduino, Raspberry Pi, 等。 控制电压 最小。2V 接口 2个X2针端子板和4针JST连接器 针脚分配 1.GND: 地面 2.VCC。电压 3.3.NC:未连接 4. SIG: 信号 特殊功能 当没有源电压时，MOSFET也会在SBC上吸取电流 RMS电压可以通过PWM降低 尺寸 40 x 22 x 20 mm ...
... 具有超低噪音 PHEMT。 该工艺经过优化，为关键的蜂窝/PC基站和其他无线射频应用提供极低的噪声系数、高部件间一致性和出色的可靠性。 ATF-33143 采用微型 SOT-343 封装包装。 NF = 0.5 分贝，Ga = 15 分贝，P1 分贝 = 22 分贝，OIP3 在 4V、80mA（2 千兆赫）时为 33.5 分贝 ...
Broadcom
电流: 20 A
电压: 650 V
... GNP1070TC-Z是一款650V的GaN HEMT，达到了业界最高等级的FOM（Ron*Ciss、Ron*Coss）。它是EcoGaN™系列的产品，通过充分利用低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换效率和缩小尺寸。内置ESD保护功能，实现了高可靠性的设计。此外，高度通用的封装提供了良好的散热性，便于安装。 概述 该产品在RDS(ON)×Ciss/RDS(ON)×Coss方面具有行业领先的性能，这是GaN HEMT的优点，可转化为电源系统的更高效率。同时，内置的ESD保护元件提高了抗静电击穿能力，最高可达3.5kV，从而实现了更高的应用可靠性。氮化镓HEMT的高速开关特性也有助于外围元件的进一步小型化。 应用实例 是工业设备和消费设备中广泛的电源系统的理想选择，包括服务器和AC适配器 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V
意法半导体提供了大量基于VIPower（垂直智能电源）技术的汽车级智能3和5引脚低端开关（OMNIFET）。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路，以驱动垂直结构功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关，可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入（或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入）。此类器件与功率MOSFET引脚兼容，能够确保实时负载控制，具有过热保护功能，因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 ...
电压: -400 V - 1,000 V
... Vishay 是全球第一的低功耗 MOSFET 制造商。 Vishay 硅胶功率 MOSFET 产品线包括超过 30 种封装类型的器件，包括芯片级微型 FOT® 和热先进的 PowerPak® 系列。 配置选项包括共封装和单芯片 MOSFET 以及肖特基二极管组合器件，以及将优化的高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 集成在一个封装中的非对称 PowerPaby® 器件。 ...
电压: 50 V
... 描述： 中央半导体 CMKT3920（两个单 NPN 晶体管）是一种双组合，采用 节省空间的 SOT-363 UltraMini™ 封装，专为小信号通用放大器和开关应用而设计。 标记代码：K20 特点： • UltraMini™ 节省空间封装，包含两个 3920 NPN 晶体管 应用： • 负载开关 • 小信号放大 • 灯具和继电器驱动器 • MOSFET 栅极驱动 ...
Central Semiconductor
电压: 20, 50 V
... 单封装 N 沟道 MOSFET 和 NPN 晶体管， 低导通电阻，极 低栅极阈值电压，1.0V 最大 低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏， 超小型表面贴装封装 引线，无卤素和锑，符合 RoHS 标准（注 2） ESD 受保护的 MOSFET 栅极高达 2kV “绿色” 器件（注 3） 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性 ...
电流: 0.12, 0.28, 0.2 mA
电压: 60 V
... 典型应用 信号处理、逻辑电平 驱动器 商业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准 *) 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 标准 *) 特点 快速开关时间 符合 RoHS 和 REACH 标准、 冲突矿物 L) ...
Diotec
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