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... 4x200Gbps500μm 芯 片间距1X4 阵列背照PIN PD 芯 片 该4X112GBaud 阵列800Gbps光探测器芯 片，是背面入光和台面结构的高速PIN光探测器芯 片， 芯 片背面集成透镜的尺寸是Ф80μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模910nm至1650nm波长，单通道可达200Gbps速率长波长的光接收器。 1. 芯 片背面集成Ф80μm透镜 2. ...
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... 该8X56Gbaud（8X112Gbps PAM4） 阵列光探测器芯 片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯 片，光敏区尺寸是Φ20μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模1200nm至1600nm波长的4X112Gbps PAM4数字通信链接。 1. 焊盘为 GSG 结构，8×56GBaud 阵列 2. 芯 片间距：500μm 3. ...
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... 该4X56GBaud 阵列400Gbps光探测器芯 片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯 片，光敏区尺寸是Φ16μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模1200nm至1600nm波长的50Gbps以上数据速率长波长光接收器。 1. 焊盘为 GSG 结构，4×56GBaud 阵列 2. 芯 片间距：750μm 3. ...
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... 该4X56GBaud 阵列400Gbps光探测器芯 片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯 片，光敏区尺寸是Φ16μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模1200nm至1600nm波长的50Gbps以上数据速率长波长光接收器。 1. Φ16μm光探测窗口 2. 焊盘为GSG结构，4X56GBaud 阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. ...
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... 该4X56GBaud 阵列400Gbps光探测器芯 片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯 片，光敏区尺寸是Φ22μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模1200nm至1600nm波长的50Gbps以上数据速率长波长光接收器。 产品特点 1. 焊盘为 GSG 结构，4×56GBaud 阵列 2. 芯 片间距：500μm ...
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... 该4X56GBaud 阵列400Gbps光探测器芯 片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯 片，光敏区尺寸是Φ24um。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模910nm至1650nm波长的50Gbps以上数据速率长波长光光接收器。 1. Φ20μm光探测窗口 2. 焊盘为GSG结构，4X25G 阵列 ...
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... 该4X25G 阵列100Gbps光探测器芯 片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯 片，光敏区尺寸是 Φ20um。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，主要和4X25Gbps四通道TIA搭配，应用于长距、高速和单模的4x25Gbps光接收器。 1. Φ20μm光探测窗口 2. 焊盘为GSG结构，4X25G 阵列 ...
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... 该高速4X10Gbps光探测器芯 片是InGaAs/I InP PIN结构和正面光照型，其特点是高响应度、低电容和低暗电流:光敏区的尺寸是50um，且P、N焊盘设计在顶部以便于封装的焊线。主要和4X10Gbps四通道TIA搭配，应用于长距、高速和单模的4X10G bps光接收器和数据通信。 1. Φ50μm光探测窗口 2. 焊盘为GS结构，4X10Gbps 阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 ...
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... 该4X25G 阵列100Gbps光探测器芯 片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯 片，光敏区尺寸是Φ32μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，主要和4X25Gbps 四通道TIA搭配，应用于长距、高速和单模的4X25Gbps光接收器。 1. Φ32μm光探测窗口 2. 焊盘为GSG结构，4X25G 阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. ...
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... 该高数速NRZ/4X56Gbps PAM-4 光电 二极管芯 片采用GaAs顶照1×4 阵列PIN结构。特点是高倍增，低电容和低暗电流，光敏面大小为Φ35μm，信号和接地键合板设计在芯 片顶部，便于线键合，应用于850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4短距离数据光通信。 1. Φ35μm光探测窗口 ...
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