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... >产品概要
本产品为采用TSC3PAK封装的SiC
MOSFET，封装尺寸14.00×18.58×3.50mm，属于可自动贴装的表面贴装产品。通过将散热面设置于封装顶部，实现了与传统插装型封装（如TO-247-4L）同等级别的散热性能。同时，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66 mm的爬电距离，使其在污染等级2的环境下能够承受1200 V交流峰值电压，适用于高压应用的安全绝缘设计。采用ROHM第4代SiC
MOSFET（沟槽/Trench）技术，实现低导通电阻与高速开关特性，从而降低开关损耗并提升功率转换效率 ...
ROHM Semiconductor
... ROHM的第4代SiC MOSFET SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。 ...
ROHM Semiconductor
... Onsemi 荣幸地推出裸片形式的第三代 EliteSiC 碳化硅 (SiC) MOSFET，该产品针对电动汽车牵引逆变器、DC-DC 转换器和板外充电器等高功率应用进行了优化。 M3e 产品系列基于 onsemi 最新一代 SiC MOSFET 技术，具有同类产品中最低的导通电阻，优化的顶层和背层金属选择适合多种封装技术，包括焊接、烧结、焊线、晶顶铜和带状键合。通过使用 onsemi 的 M3e 产品，封装灵活性有助于减小系统尺寸、重量和应用复杂性，同时提高电动汽车牵引逆变器应用的功率密度和效率 ...