车用MOSFET SCT4018KTWHR

耐高电压高速碳化硅

产品概要
本产品为采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET，封装尺寸14.00×18.58×3.50mm，属于可自动贴装的表面贴装产品。通过将散热面设置于封装顶部，实现了与传统插装型封装（如TO-247-4L）同等级别的散热性能。同时，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66 mm的爬电距离，使其在污染等级2的环境下能够承受1200 V交流峰值电压，适用于高压应用的安全绝缘设计。采用ROHM第4代SiC MOSFET（沟槽/Trench）技术，实现低导通电阻与高速开关特性，从而降低开关损耗并提升功率转换效率。该器件适用于车载充电器（OBC）、电动压缩机（xEV）、光伏逆变器以及服务器电源等应用。

特点

• 符合AEC-Q101汽车等级要求
• 沟槽结构，确保6.66 mm爬电距离，支持污染等级2下1200 V交流峰值
• 低导通电阻（典型值低）
• 高速开关特性，降低开关损耗
• 快速反向恢复
• 便于并联使用
• 驱动简单
• 无铅引脚电镀，符合RoHS指令

封装与散热
TSC3PAK封装（顶侧散热结构），散热面位于封装顶部，实现表面贴装设计下与通孔封装同等级别的散热性能，适合需高散热性能且要求自动贴装的功率应用。沟槽结构兼顾了封装兼容性与高耐压设计。

应用示例

• 车载：车载充电器（OBC）、电动压缩机
• 工业/能源：光伏逆变器
• 服务器电源与高性能电源转换设备

Caractéristiques / spécifications techniques

• 型号：SCT4018KTWHRTCR
• 商业型号 / Denomination commerciale：SCT4018KTWHR
• 状态：推荐品
• 封装：TSC3PAK
• 封装尺寸：14.0 x 18.58 mm (t = 3.625)
• 引脚/包装形态：Taping
• 包装数量：600 / 最小独立包装数量：600
• Drain-source Voltage (Vds)：1200 V
• Drain-source On-state Resistance (Typ.) (Rds(on))：18 mΩ
• Generation：4th Gen (Trench)
• Drain Current (Id)：79 A
• Total Power Dissipation (Pd)：294 W
• 结温 (Junction Temperature) (Max.)：175 °C
• 存储温度范围：-40 °C ～ 175 °C
• 共通标准：AEC-Q101 (Automotive Grade)
• RoHS：Yes
• MSL：1