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碳化硅二极管
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电压阈值: 1.45 V - 2.2 V
反向电压: 600 V - 1,200 V
... 除了确保符合当今最严格的能效法规(Energy Star、80Plus、以及European Efficiency)外,意法半导体的碳化硅二极管的动态特性是标准硅二极管的四倍,而正向电压(VF)比其低15%。 碳化硅二极管为我们的STPOWER系列产品。 碳化硅(SiC)二极管的使用大大提高了太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源和电动车电路的效率和稳定性。 意法半导体提议在600V到1200V的电压范围内采用单二极管和双二极管(封装尺寸从DPAK到TO-247),包括陶瓷绝缘型TO-220,以及超薄的紧凑型PowerFLATTM ...
电压阈值: 1.5 V - 3 V
反向电压: 600, 1,250, 650 V
... Renesas 的快速恢复二极管可为超高频应用中的整流提供快速恢复时间。 ...
反向电压: 650 V
... 恢复时间更短,可实现高速切换。 特点 恢复时间更短 降低温度依赖性 可实现高速开关 高浪涌电流能力 ...
ROHM Semiconductor
反向电压: 650 V
... 更短的恢复时间,实现高速切换。 特点。 减少了对温度的依赖 可实现高速开关 高浪涌电流能力 ...
ROHM Semiconductor
反向电压: 650 V
... 更短的恢复时间,实现高速切换。 特点。 减少了对温度的依赖 可实现高速开关 高浪涌电流能力 ...
ROHM Semiconductor
反向电压: 650, 1,200 V
... 典型应用 高频整流 高效开关级 功率因数校正二极管 用于逆变器的续流二极管 商用/工业级 后缀 -Q:符合 AEC-Q101 标准 ') 后缀 -AQ:符合 AEC-Q101 标准 l) 特点 低电容电荷 开关速度极快 高反向电压 高功率耗散 符合 RoHS (exemp. 7a)、 REACH、冲突矿物l) ...