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内存: 8, 16 GB
● 总写入/ 抹除次数 (P/E cycles)达 3K 次，耐用可靠 ● 符合工业级耐宽温(-40°C至85°C)要求 ● 过热降频保护(Thermal Throttling)功能 ● 自动休眠省电模式：有效节省功耗 ● 区块管理(Partitioning Management)功能：提升扇区的安全性与耐用性 ● LDPC ECC 纠错技术 ● 适用于 IoT 装置、嵌入式系统、智能家庭、车队管理、工业自动化、无人机、医疗等领域 威刚工业级 eMMC(嵌入式多媒体卡) ...
内存: 16, 32 GB
● 总写入/抹除次数 (P/E cycles)达 3K 次，耐用可靠 ● 符合工业级耐宽温(-40°C至85°C)要求 ● 过热降频保护(Thermal Throttling)功能 ● 自动休眠省电模式：有效节省功耗 ● 区块管理(Partitioning Management)功能：提升扇区的安全性与耐用性 ● LDPC ECC 纠错技术 ● 适用于 IoT 装置、嵌入式系统、智能家庭、车队管理、工业自动化、无人机、医疗等领域 威刚工业级 eMMC(嵌入式多媒体卡) ...
... NAND 型闪存器一直在改变其存储单元结构、单元大小和功能，通过缩小，容量增大，成本降低，正在迅速推进。 但是，如果闪存生成变化 在不保持跨代兼容性的情况下加速，则采购 NAND 型闪存可能会变得困难，并 可能出现限制系统引入和系统设计的更大风险。 TDK GBDriver RA6 通过控制最新的闪存（双平面写入闪存）消除了这些风险，同时保持 对现有 NAND 型闪存的支持。 除此之外，GBDriver RA6 支持 UltraDMA Mode2，最大传输速度为 ...
... 用于5G智能手机的下一代移动NAND闪存存储器 最新与新的结合（V7 NAND和新的SoC） SK hynix的NAND闪存阵容在单片密度和可用容量配置方面继续发展，并由一个成熟和强大的技术平台支持。现在，我们推出了UD310（UFS3.1）和UD220（UFS2.2），这是基于我们最新的176层4D NAND的高容量和高性能移动存储，安装在一个更小和更薄的封装中，以满足5G智能手机的严格要求。 UD310 世界上第一个采用176层NAND闪存的UFS3.1系统 SK ...
东芝在1987年发明了NAND闪存并率先于1991年量产NAND闪存。至此，东芝一直致力于缩小设计规则和工艺节点以提高NAND闪存的容量。 然而， 工艺过渡面临诸多挑战。通过传统的平面NAND闪存技术来进一步增大容量已经变得极为困难。 为了解决这个问题，东芝发明了闪存芯片垂直层叠的全新工艺。2007年，东芝率先发布了三维（3D）闪存层叠技术。通过进一步开发，东芝推出了3D闪存：BiCS FLASH™ 目标应用 随着物联网（IoT）的出现，社交网络（SNS）的流行和更高分辨率的照片和视频的产出，世界范围内产生的数据量呈现指数式的增长。 在信息处理领域，实时性能非常重要。大数据系统需要管理大量数据，并将数据分类储存在数据中心和云服务系统中。这种情况下，大容量的存储系统需要高速且低功耗地处理、存储和管理大量数据。 另外，在智能手机、平板电脑、存储卡和其他对功耗敏感的应用中，对低功耗存储的需求也与日俱增。 BiCS ...
内存: 64, 128, 256, 12, 24 GB
... DDC 64、128 和 256 GB 高密度 NAND 闪存具有 x16 宽总线。 该 NAND 闪存采用单级单元 (SLC) NAND 技术。 SLC NAND 每个存储单元存储 1 位数据，提供快速的读写功能和启动时间，出色的耐久性和可靠性。 DDC 获得专利的 RAD-PAK 封装技术在微电路封装中集成了辐射屏蔽。 它不再需要箱体屏蔽，同时提供在轨道或空间飞行任务中的一生所需的辐射屏蔽。 RAD-PAK 根据空间飞行任务提供了大于 100 krads ...
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