NAND内存

... NAND 型闪存器一直在改变其存储单元结构、单元大小和功能，通过缩小，容量增大，成本降低，正在迅速推进。 但是，如果闪存生成变化 在不保持跨代兼容性的情况下加速，则采购 NAND 型闪存可能会变得困难，并 可能出现限制系统引入和系统设计的更大风险。 TDK GBDriver RA6 通过控制最新的闪存（双平面写入闪存）消除了这些风险，同时保持 对现有 NAND ...

... 用于5G智能手机的下一代移动NAND闪存存储器 最新与新的结合（V7 NAND和新的SoC） SK hynix的NAND闪存阵容在单片密度和可用容量配置方面继续发展，并由一个成熟和强大的技术平台支持。现在，我们推出了UD310（UFS3.1）和UD220（UFS2.2），这是基于我们最新的176层4D NAND的高容量和高性能移动存储，安装在一个更小和更薄的封装中，以满足5G智能手机的严格要求。 UD310 世界上第一个采用176层NAND闪存的UFS3.1系统 SK ...

内存: 64, 128, 256, 12, 24 GB

... DDC 64、128 和 256 GB 高密度 NAND 闪存具有 x16 宽总线。 该 NAND 闪存采用单级单元 (SLC) NAND 技术。 SLC NAND 每个存储单元存储 1 位数据，提供快速的读写功能和启动时间，出色的耐久性和可靠性。 DDC 获得专利的 RAD-PAK 封装技术在微电路封装中集成了辐射屏蔽。 ...

东芝在1987年发明了NAND闪存并率先于1991年量产NAND闪存。至此，东芝一直致力于缩小设计规则和工艺节点以提高NAND闪存的容量。 然而， 工艺过渡面临诸多挑战。通过传统的平面NAND闪存技术来进一步增大容量已经变得极为困难。 为了解决这个问题，东芝发明了闪存芯片垂直层叠的全新工艺。2007年，东芝率先发布了三维（3D）闪存层叠技术。通过进一步开发，东芝推出了3D闪存：BiCS ...