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电压阈值: 350 V
反向电压: 350 V
... RFN5BGE3S是硅外延平面型快恢复二极管。 低开关损耗 高电流过载能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 600 V
反向电压: 600 V
... RFN20TJ6SFHG 低 VF、低开关损耗，适用于一般整流 低正向电压 低开关损耗 高电流过载能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 400 V
反向电压: 400 V
... RF201LAM4STF是高可靠性的汽车快速恢复二极管，适用于一般整流。 低正向电压 低开关损耗 高电流过载能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
... RF202LAM2S是低VF和低开关损耗的快恢复二极管，适用于一般整流。 低正向电压 低开关损耗 高电流过载能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 400 V
反向电压: 400 V
... RF101LAM4STF是高可靠性的汽车快速恢复二极管，适用于一般整流。 低正向电压 低开关损耗 高电流过载能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
反向电压: 10 kV - 300 kV
... 产品特点 1. 低漏电、低功耗、高浪涌容量。 2. 高效快速响应时间。 3. Tj 工作结温度范围-40~+175。 4. 反向雪崩击穿保护。 5. 聚酰亚胺钝化技术。 6. 成型塑料机身，注塑技术。 7. 符合 RoHS 标准。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
反向电压: 5 kV - 200 kV
... 产品特点 1. 低漏电、低功耗、高浪涌容量。 2. 高效快速响应时间。 3. Tj 工作结温度范围-40~+175。 4. 反向雪崩击穿保护。 5. 聚酰亚胺钝化技术。 6. 成型塑料机身，注塑技术。 7. 符合 RoHS 标准。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
反向电压: 2 kV - 50 kV
... 产品特点 1. 低漏电、低功耗、高浪涌容量。 2. 高效快速响应时间。 3. Tj 工作结温度范围-40~+175。 4. 反向雪崩击穿保护。 5. 聚酰亚胺钝化技术。 6. 成型塑料机身，注塑技术。 7. 符合 RoHS 标准。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
电压阈值: 0.9 V
反向电压: 300 V
... 概述 RFR60F30APN 是一款超快恢复二极管，采用先进的硅平面外延技术制造。 工艺参数和器件结构经过微调，具有正向电压降和反向恢复时间的优化性能。 精度外延涂料控制，先进的平面结端子结构和铂掺杂寿命控制，保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性特性。 SFR60F30PN 旨在用于 SMPS、UPS、DC-DC 转换器以及低压逆变器和斩波电机驱动器中的自由轮二极管的输出整流阶段。 特点 ♦ 超快 45 纳秒恢复时间 ♦ 低正向电压降 ♦ 低漏电流 ...