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... >产品概要
本产品为采用TSC3PAK封装的SiC
MOSFET，封装尺寸14.00×18.58×3.50mm，属于可自动贴装的表面贴装产品。通过将散热面设置于封装顶部，实现了与传统插装型封装（如TO-247-4L）同等级别的散热性能。同时，ROHM专有的沟槽结构确保了6.66 mm的爬电距离，使其在污染等级2的环境下能够承受1200 V交流峰值电压，适用于高压应用的安全绝缘设计。采用ROHM第4代SiC
MOSFET（沟槽/Trench）技术，实现低导通电阻与高速开关特性，从而降低开关损耗并提升功率转换效率 ...