渗氮硅晶圆 Nitride layer (Si3N4)

2 inch (50 mm)6 inch (150 mm)用于氮化硅

在半导体行业中，氮化硅层被用作介质材料、钝化层或可作为硬掩膜。 此外，微机械领域还有多种应用，例如膜材料。 Sil'tronix ST 提供氮化硅层，如： -Si3N4 薄膜采用低应力 LPCVD 法涂层 -Si3N4 厚度：高达 1.3um +/-5% -Si3N4 覆盖硅晶片的两侧 我们适应所有数量，最少批次订购 25 个晶片。 氮 化硅层 LPCVD 氮化硅层的沉积可以轻松地沉积在硅晶片上，以可重复、纯粹和均匀的方式。 这导致氮化硅层具有低导电性、非常好的覆盖边缘和高热稳定性。 PECVD 氮化硅层允许更高的生长速度，从而导致更厚的层。 化学计量和应力也可以调整。 最终获得高厚度均匀性和蚀刻率。 PECVD 氮化硅晶圆特别适用于钝化层。