含干热SiO2硅晶圆

6 inch (150 mm)2 inch (50 mm)

硅晶片的干湿热氧化硅 表面氧化硅层 (SiO2) 的生长可通过高干法或湿法氧化法进行。 在这两种情况下，硅与氧发生反应，导致向基材移动界面。 我们提供从 2 英寸到 6 英寸的硅晶圆： -从 20 纳米到 300 纳米的干 SiO2 薄膜 -粗糙度小于 3 英寸 RMS -从 50 纳米到 2 微米的湿热氧化物 我们适应所有数量，最小批量订购 25 晶圆。 干氧化通常发生在 850°C 至 1200°C 的温度下，并且生长速度较低。 它允许非常好的厚度均匀性和纯度。 因此，这是生产高品质薄氧化硅层的首选方法。 较厚的氧化层通常通过湿式氧化产生，其中生长速度显著增加。