红外显微镜 NIR

用于研究用于半导体近红外

概述
该NIR显微镜用于对硅晶圆背面进行近红外成像。演示和数据集侧重于波长比较及图像处理流程，适用于半导体检验与研究场景。

评估视频
评估视频展示了背面晶圆成像的时间线和图像处理实例：

• 0 秒：硅晶圆背面表面
• 7 秒：1100 nm 的图案图像
• 16 秒：经过图像处理的 1100 nm 图案图像
• 27 秒：1300 nm 的图案图像
• 38 秒：1550 nm 的图案图像

对比图像
并排比较在 1100 nm、1300 nm、1450 nm 和 1550 nm 波长下采集的背面硅晶圆图像，以展示不同波长下的对比度和特征可见性。

包含的图片

• 图像轮播，包含多张幻灯片，展示显微镜和晶圆图像（Slide1 至 Slide16）
• 标注为 bawah1、bawah2、bawah3 的对比图像，展示晶圆背面图案

特性 / 技术规格

• 比较的成像波长：1100 nm、1300 nm、1450 nm、1550 nm
• 包含图像处理演示（评估视频中 16 秒处为示例）
• 视觉资料：多幻灯片图像轮播及标注的对比文件
• 提供演示视频，展示NIR成像的时间线和处理结果