硅MOSFET RM110N06PA
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产品规格型号
- 材质
- 硅
产品介绍
这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。
特点。
VDS=60V,ID=110A Rdson≦10mΩ @VGS=10V (典型值：7.0mΩ)
扩展的安全工作区
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
应用
-电源开关应用
-直流电动机控制
- 不间断电源
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PDF产品目录
RM110N06PA
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