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硅MOSFET RM30N20PK

硅MOSFET
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产品介绍

这款MOSFET来自荣泰工业(上海)有限公司,。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS(on)。因此,该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗,这也提高了可靠性和耐用性。 特点。 VDS=200V,ID=30A Rdson≦75mΩ @VGS=10V (典型值:55mΩ) 扩展的安全工作区 低反向传输电容 100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。