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MOSFET集成电路片 LND150功率
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产品规格型号
- 技术参数
- MOSFET, 功率
产品介绍
LND150是一款利用横向DMOS技术的高电压N沟道耗尽模式（常开）晶体管。栅极有ESD保护。LND150是常开开关、精密恒流源、电压斜率生成和放大等领域中高压应用的理想选择。
产品特点
不存在二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
卓越的热稳定性
一体化源-漏二极管
高输入阻抗和低CISS
ESD栅极保护
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