功率集成电路片 LND150

MOSFET

LND150 是一款高压 N 沟道耗尽模式（常开）晶体管，采用横向 DMOS 技术。栅极具有 ESD 保护。LND150 非常适合常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等领域的高压应用。 产品特性 无二次击穿 低功率驱动要求 易于并联 出色的热稳定性 集成源漏二极管 高输入阻抗和低 CISS ESD 栅极保护 参数 BVdss 最小值（伏）- 500 Rds（接通）最大值（欧姆） - 1000 Vgs（关）最小值（伏特） - -1.0 Vgs（关）最大值（伏） - -3.0 封装 - SOT-23、TO-92、SOT-89