PECVD镀膜机

薄硅涂层光伏应用

在硅晶片表面沉积一层厚度约为 75-140 纳米的抗反射氮化硅薄膜 (SixNy) 在硅晶片表面沉积一层厚度约为 75-140 纳米的抗反射氮化硅薄膜（SixNy），并利用沉积过程中产生的活性 H+ 离子对硅晶片的表面和内部进行钝化。在减少光反射的同时，还能提高硅晶片的少数载流子寿命，最终直接反映在晶体硅电池的转换效率上，主要用于在 PERC/TOPCon 电池的正面和背面生长氮化硅薄膜。 主要参数 成熟的大容量工艺、双模温控技术、膜规保护技术； 两端支撑的专利推拉机构，可消除抖动，速度提高 30%，负载能力增加，可靠性大大提高。进出舟时间不超过 20 秒（不含取放舟时间）； 快速冷却炉体：最新专利技术使炉体温度快速降至所需温度，冷却速度提高 25% 以上，可明显改善炉管内的温度均匀性； 专利的艇储位平行散热方式：提高冷却效果，冷却时间缩短 15%以上，并避免底部进风从控制台前部进入，提高控制台内部清洁度； 快速自适应压力闭环控制技术；