清洁溶剂

用于电子元件用于蚀刻残留物

产品介绍 我们提供用于半导体与微加工工艺的完整蚀刻剂配方系列，包括缓冲氧化物蚀刻剂（BOE）、稀释氢氟酸（HF）、混酸蚀刻剂（MAE）及特种金属蚀刻剂。

产品概要 系列涵盖多种 NH4F:HF 比例的 BOE、在严格检验范围内配制的稀释 HF、MAE 选项以及用于选择性金属去除的特种蚀刻剂。配方可提供含表面活性剂或不含表面活性剂，并可按工艺需求定制。

产品阵容

• 缓冲氧化物蚀刻剂（BOE）
  • 精确配制的 BOE，具有严格的检测规范，可选多种 NH4F:HF 比例。
  • 用于蚀刻 SiO2 薄膜及扩散前/金属化前的表面处理。
  • 由高纯度 HF 与 NH4F 配制，提供含/不含表面活性剂的配方。
• 稀释氢氟酸
  • 在严格检测规范内精确配制的稀释 HF，用于氧化物去除和工艺清洗。
• 铝硅屑漂洗液（Freckle Etch）
  • 用于去除 Al–Si–Cu 蚀刻后残留的硅结节（nodules）。
• 特种金属蚀刻剂
  • 用于选择性去除特定金属层的化学配方，包括铝专用蚀刻剂和用于金属化层的浸没式蚀刻剂；提供表面活性剂选项及定制工程服务。

应用 / 典型用途

• 半导体器件制造中 SiO2 薄膜的蚀刻。
• 扩散前与金属化前的表面准备。
• Al–Si–Cu 蚀刻后硅结节的去除。
• 金属化处理中的选择性金属层去除。

特性 / 规格

• 产品类型：BOE、稀释 HF、MAE、Freckle Etch、特种金属蚀刻剂。
• BOE 提供多种 NH4F:HF 比例并实施严格的检测控制。
• 主要原料：用于 BOE 配方的高纯度 HF 与 NH4F。
• 选项：可选择含/不含表面活性剂；提供浸没式与铝专用蚀刻剂；支持定制配方开发。
• 主要功能：SiO2 蚀刻、表面准备、选择性金属去除、Al–Si–Cu 蚀刻后的结节清除。