清洁溶剂

用于蚀刻残留物

产品概述
用于去除铝、铜与先进金属合金、抗反射层、SiO2 及超低 k 介电材料上的刻蚀残留物的水性刻蚀后清洗液。面向 BEOL（back end of line）半导体工艺设计，兼容常见的喷淋及批量处理工具。制造与纯度验证在美国和亚洲工厂执行。

应用

• 刻蚀后残留物去除
• 铝（Al）和铜（Cu）金属化层及先进金属合金的表面清洗
• 抗反射层（ARC）、SiO2 及超低 k 介电材料的清洗
• 在 BEOL 工艺流中集成（兼容喷淋和批量工具）

关键信息

• 化学类型：水性配方
• 主要用途：刻蚀后清洗与干燥辅助
• 工艺兼容性：BEOL（back end of line）半导体工艺
• 兼容材料：Al（铝）、Cu（铜）、先进金属合金、抗反射层、SiO2、超低 k 介电材料
• 工具兼容性：喷淋和批量处理工具
• 冲洗：兼容直接超纯水冲洗（减少溶剂冲洗需求）
• 产品规格：根据刻蚀类型提供不同等级；可选含或不含表面活性剂的产品
• 包装：4L 瓶 ×4、200L 桶（一次性或可回收）、1000L 吨位箱（一次性或可回收）、散装供应（视地区可用性）
• 制造商：FUJIFILM — 在美国和亚洲制造并进行纯度验证

特性 / 技术规格

• 化学体系：水基配方（具体成分随等级变化）
• 典型用途：刻蚀后残留物去除、金属化或介电层沉积前的预处理、辅助干燥工序
• 材料兼容性：Al、Cu、先进合金、ARC、SiO2、超低 k
• 工艺集成：适用于 BEOL 的喷淋和批量工具
• 供应与包装选项如上所列
• 质量控制：使用先进分析方法进行常规纯度验证