老化测试系统 Hatina WLBI

热量性能加速老化

产品概述
Hatina WLBI 是为晶圆上功率器件设计的晶圆级 Burn-In（WLBI）与 HTOL 解决方案。紧凑型测试腔体（概述尺寸 560×560×550 mm；规格表 D×W×H 为 560×560×560 mm）可连接至标准晶圆探针台，实现整片晶圆的老化测试并具备高并行吞吐量。每个 DUT 嵌入加热器，以实现精确、低功耗的局部热控（无烤箱策略），从而降低能耗和占地并简化自动化集成。

主要优势

• 适用于功率技术：Si、SiC、GaN
• 兼容 6、8 和 12 英寸晶圆
• 支持整片晶圆老化和加速可靠性测试
• 高并行吞吐量，适用于成本效益高的生命周期测试
• 基于标准晶圆探针台技术，便于现有平台集成

功能 / 操作能力

• 与标准晶圆探针台对接的紧凑型晶圆级 Burn-In 腔体
• 高并行吞吐：最多支持 1600 个测试点并行测试
• 单点电气能力：最高 1.2 kV，2 mA
• 支持功能性老化、HTGB 与 HTRB 测试配置
• 每个 DUT 配备分布式嵌入式加热器以实现精确低功耗的局部温控（无烤箱）
• 洁净室兼容设计并支持自动化集成

参数 / 变体说明

• Func_Test：Yes
• HTGB：Yes
• HTRB：Yes
• BVDSs：未来 uIDE 软件版本可能支持
• IDSx：未来 uIDE 软件版本可能支持
• Vth：未来 uIDE 软件版本可能支持
• 单次晶圆接触可测试最多 1600 个芯片（每个测试点支持 3 个端点）

技术规格

• 测试点数量：最多 1600
• 外形尺寸（D × W × H）：560 mm × 560 mm × 560 mm（规格表）；概述尺寸：560×560×550 mm
• Drain 高压电源：-50 V 至 1.2 kV
• Gate 电压电源：-50 V 至 +50 V
• 功能测试期间器件电流：2 mA
• HTRB 测试期间器件电流：2 mA
• HTGB 测试期间器件电流：2 mA
• 支持的测试类型：功能性老化、HTGB、HTRB、WLBI（整片晶圆）
• 晶圆兼容：6、8、12 英寸