反光材料高温计 UV 400, UVR 400

无显示RS485固定式

用于 GaN 基外延的真晶圆表面温度和反射率测量，650 至 1300°C 先进能源的紫外 400 和 UVR 400 高温仪直接测量晶圆表面温度，而不是传统的感应器/口袋温度。 • 宽温度范围（650 至 1300°C）允许覆盖主缓冲区生长和 MQW 生长 • 使用 UVR 400 上的额外反射仪测量沉积厚度 • 可调节发射率、透射率和子范围 概述 高级能量的紫外 400 和 UVR 400 高温计直接测量晶圆表面温度。 这种改进的方法可以更精确地控制晶圆温度，从而提高产量。 UVR 400 包括一个额外的 635 nm 反射计，测量速度为 0.5 kHz。 这使您能够测量沉积厚度。 这些系统为 LED 生产工艺树立了新的标准。 结果表明，工艺温度与最终产品波长之间存在可靠的相关性。 优点 • 通过精确的真晶圆温度测量提高产 量 • 使用紫外波长仪器直接测量 GaN 层上的温度 • 使用快速脉冲光源捕捉实时反射率测量 • 防止残渣温度振荡，如 NIR 发射率所示-补偿高温计 • 防止延迟采样（无快门打开和关闭）导致的数据偏斜 特点 • 具有 PL 波长相关性的可靠晶圆温度 • 模拟输出和 RS485，提供 UPP 协议接口 • 温度范围内的可调子范围 • 器件承受能力大气中的氮气和真空 (< 10 毫巴)