{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
电流: 24 A
电压: 1,700 V
... 该装置采用了平面扩散式集电极技术，该技术是为适应高清CRT显示器而开发的 "增强型高压结构"（EHVS1）。 新的HD产品系列显示了改进的硅效率，为水平偏转阶段带来了更新的性能。 所有特点 最先进的技术：扩散式集电极 "增强型一代 "EHVS1 对工作温度的变化不那么敏感 更大范围的最佳驱动条件 符合U.L标准的全绝缘电源包 ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 8 A
电压: 600 V
... 这款 IGBT 采用先进的 PowerMESH™ 工艺，在开关性能和低导通特性之间实现了出色的权衡。 所有特性 更低的导通压降（VCE(sat) 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的 CRES / CIES 比率（无交叉传导电感） 短路耐受时间 10µs ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 8 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 8 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 8 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 更低的导通压降（VCE(sat)）。 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的CRES/CIES比率（无交叉传导敏感度） 短路耐受时间10µs ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 30 A
电压: 600 V
... 该IGBT采用先进的PowerMESH工艺，在开关性能和低通态行为之间实现了出色的权衡。 所有特点 低导通电压降（VCE(sat)）。 短路耐受时间10μs 低Cres/Cies比率（无交叉传导敏感度） IGBT与超快速自由旋转二极管共同封装 ...
STMicroelectronics/意法半导体