Littelfuse/力特SMD二极管阵列

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
SP1333 series

SP1333背对背二极管采用专有的硅雪崩技术制造。 这种二极管可为电子设备提供较高水平的ESD(静电放电)保护。 SP1333 TVS可安全吸收IEC 61000-4-2国际标准(4级,±8kV接触放电)规定的最大接触放电,且性能不会下降。 背对背配置可为数据线提供对称ESD保护。 此外,SP1333的箝位电压低,可提供高达5A 8/20的浪涌额定值。 功能与特色: ESD,IEC ...

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Littelfuse/力特
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
AQ24CANA series

电压阈值: 24 V

AQ24CANA瞬态抑制二极管阵列设计用于保护汽车控制器区域网络(CAN)免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及其它过压瞬变造成的线路损坏。 AQ24CANA可以吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最大ESD的反复震击而不会发生性能退化,并可安全耗散5A的8/20μs浪涌电流(IEC 61000-4-5 2版 版)。 功能与特色: • ESD,IEC 61000-4-2,±27kV接触放电,±30kV空气放电 • ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
SP1305 series

电压阈值: 5 V

SP1305瞬态抑制二极管阵列可保护灵敏设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏。 SP1305能安全地吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定之最高级别的反复性ESD放电,无需担心其性能的减退,并可在极低的箝位电压下安全地耗散5A的8/20μs波形浪涌电流(IEC- 61000-4-5,第2版)。 功能与特色: • ESD,IEC 61000-4-2,±30kV接触放电,±30kV空气放电 ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
SRV05-4HTG-D series

电压阈值: 5 V

SRV05-4HTG-D将低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起,保护每个输入/输出引脚不受ESD和高浪涌事件的危害。 这款功能强大的器件可根据IEC61000-4- 5 (tP=8/20μs) 标准安全地吸收10A浪涌电流,且性能不会下降。根据IEC 61000-4-2标准,ESD的最小值为±30kV。极低的负载电容也使得这款器件成为保护高速信号引脚的理想之选。 功能与特色: • ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
AQ3400 series

电压阈值: 5 V

AQ3400集成了2个通道的低电容控向二极管及一个额外的齐纳二极管,为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。 AQ3400可在高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别(4级,±8kV接触放电)情况下,安全吸收反复性ESD放电,其性能不会减退。 较低的断态电容使其成为保护USB2.0或USB 3.0和1Gb以太网等高速信号线路的理想选择,其动态电阻极低,可保护最灵敏、最先进的芯片组免受ESD损坏。 功能与特色: • ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
SP3384NUTG series

电压阈值: 3.3 V

SP3384NUTG系列可在高达15A (IEC 61000-4- 5第2版)和高达±30kV ESD (IEC 61000-4-2)的情况下为四个信道提供保护,并可提供紧凑型μDFN封装。 由于兼具低电容和低钳位电压,SP3384NUTG可针对2.5G/5G/10G以太网高速数据接口提供可靠的保护解决方案,同时避免信号衰减,提高各种应用的可靠性。 功能与特色: • 低电容(每个I/O 0.5pF)和低箝位电压(4V@Ipp=1A) • 紧凑型μDFN封装(3.0 ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
SP3401 series

电压阈值: 3.3 V

SP3401专为保护高速接口免因静电放电(ESD)损坏而设计,例如DisplayPort接口和USB 3.1 Gen 1。 信号线路由瞬态抑制二极管保护,提供典型值低至0.35 pF的线路电容。 SP3401可安全吸收高达±18 kV接触放电的反复性ESD震击,超过IEC 61000-4-2 4级要求(±8kV接触放电)。 卓越的低电容、箝位能力、低泄漏和快速响应时间使得此零件成为保护高速数据线路的理想解决方案。 功能与特色: • ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
SP3420 series

电压阈值: 3.3 V

SP3420包括四通道超低电容和高级ESD保护二极管,用于保护高速数据速率,例如USB 3.1、DisplayPort、Thunderbolt和e-SATA。 0.32pF的电容典型值有助于确保信号完整性,这款功能强大的二极管可在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别(4级,±8KV接触放电)下安全地吸收反复性ESD放电,且性能不会下降。安全耗散6A的8/20μs浪涌电流(IEC 61000-4-5第2版)。 功能与特色: • ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
SP1250 series

SP1250单向TVS采用硅雪崩制造技术。 这种二极管可为电子设备提供较高水平的 ESD(静电放电)保护。 SP1250 TVS可安全地吸收±30 kV (IEC 61000-4-2中定义的接触和空气放电)的反复性ESD震击,而无需担心其性能退化。 此外,每个TVS可安全耗散IEC 61000-4-5第2版中定义的50A 8/20μs浪涌电流。 功能与特色: ESD,IEC 61000-4-2,±30kV接触放电,±30kV空气放电,EFT, ...

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Littelfuse/力特
SMD二极管阵列
SMD二极管阵列
GSM24CCAN series

反向电压: 24 V

对于产品质量,我们的目标是行业领先。我们通过以下流程确保产品质量达到预期目标。 质量方针。 设计 高可靠性的设计、严苛的验证与批量试产确保能量产的质量水平。 供应商选择与来料控制 合格的原材料、具有质量管理体系(ISO9001、IATF16949)认证的制造商。 来料质量检查 IQC(尺寸、功能、外观抽样检测、RoHS 和 REACH 测试或供应商检测报告确认)。 生产过程 生产过程在线检查和测试(功能100%测试)。 过程质量控制 ...

瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列

电压阈值: 1.7 V - 70 V
反向电压: 2.5 V - 70 V

... ON Semictor 提供专为提供 ESD 保护而设计的二极管和二极管阵列。 ...

PN结二极管阵列
PN结二极管阵列
CMXSTB200

反向电压: 20 V

... 描述: 中央半导体 CMXSTB200 系列型号是安装在表面贴装 SOT-26 外壳中的多芯片硅二极管,专为需要受控正向电压特性(如电压调节、检测和比较)的应用而设计。该系列分别是 1N4156、1N4157 和 1N5179 引线器件的表面贴装替代方案。 特殊选择的直流参数包括各种测试条件下的 VF。 ...

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Central Semiconductor
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
瞬态电压抑制管(TVS)二极管阵列
CMKTVS5-4

电压阈值: 5.5 V
反向电压: 5 V

... 描述: 中央半导体 CMKTVS5-4 是一款 4 行电视/二极管阵列,封装在表面 贴装外壳中。该器件具有低电容,旨在保护四条高速数据或 传输线路免受过压瞬变和 SD 损坏的影响。 标记代码:CVT4 应用: • USB 2.0 电源和数据线保护 • HDMI 接口 • 数字视频接口 (DVI) • 以太网端口 特点: • 低电容 • 低钳位电压 ...

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