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SP3213是一款双向瞬态抑制二极管阵列，具有超低电容，为可能受到破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供高级别保护。 0.09pF的电容典型值有助于在最具挑战性的消费电子产品接口中实现极佳的信号完整性，例如USB 3.2、3.1、HDMI 2.1、2.0、DisplayPort、Thunderbolt和V-by-One®。 它可在±12kV条件下安全吸收反复性ESD震击（接触放电，IEC ...
Littelfuse/力特
SP1333背对背二极管采用专有的硅雪崩技术制造。 这种二极管可为电子设备提供较高水平的ESD（静电放电）保护。 SP1333 TVS可安全吸收IEC 61000-4-2国际标准（4级，±8kV接触放电）规定的最大接触放电，且性能不会下降。 背对背配置可为数据线提供对称ESD保护。 此外，SP1333的箝位电压低，可提供高达5A 8/20的浪涌额定值。 功能与特色: ESD，IEC ...
Littelfuse/力特
电压阈值: 24 V
AQ24CANA瞬态抑制二极管阵列设计用于保护汽车控制器区域网络（CAN）免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）及其它过压瞬变造成的线路损坏。 AQ24CANA可以吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最大ESD的反复震击而不会发生性能退化，并可安全耗散5A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000-4-5 2版 版）。 功能与特色: • ESD，IEC 61000-4-2，±27kV接触放电，±30kV空气放电 • ...
Littelfuse/力特
反向电压: 24 V
对于产品质量，我们的目标是行业领先。我们通过以下流程确保产品质量达到预期目标。 质量方针。 设计 高可靠性的设计、严苛的验证与批量试产确保能量产的质量水平。 供应商选择与来料控制 合格的原材料、具有质量管理体系（ISO9001、IATF16949）认证的制造商。 来料质量检查 IQC（尺寸、功能、外观抽样检测、RoHS 和 REACH 测试或供应商检测报告确认）。 生产过程 生产过程在线检查和测试（功能100%测试）。 过程质量控制 ...
反向电压: 12 V - 85 V
... 计算和视频设备制造商正在向半导体行业提出挑战，要求他们开发出越来越小的电子元件。 Bourns 提供用于浪涌和 ESD 保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用 DO-214AA (SMB) 尺寸的紧凑型芯片封装。瞬态电压抑制器系列可提供 12 V 至 85 V 的工作峰值反向电压和 104 V 的击穿电压。从 0 V 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒。 Bourns® 片式二极管符合 ...
电压阈值: 1.7 V - 70 V
反向电压: 2.5 V - 70 V
... ON Semictor 提供专为提供 ESD 保护而设计的二极管和二极管阵列。 ...
反向电压: 20 V
... 描述： 中央半导体 CMXSTB200 系列型号是安装在表面贴装 SOT-26 外壳中的多芯片硅二极管，专为需要受控正向电压特性（如电压调节、检测和比较）的应用而设计。该系列分别是 1N4156、1N4157 和 1N5179 引线器件的表面贴装替代方案。 特殊选择的直流参数包括各种测试条件下的 VF。 ...
Central Semiconductor
反向电压: 80 kV - 110 kV
产品特点 采用多层PCB板设计理念，达到散热效果 低漏电流，低功耗，工作结温-40℃~+150℃ 可选择的阻容均衡设计理念使产品更加稳定 抗瞬间大电流冲击及反向耐压特性 多种规格尺寸规格可供选择或可定制 应用领域 高频高压电源，除尘变压器整流 用于高频倍压，高频隔离保护线路
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
电压阈值: 25 V - 550 V
反向电压: 20 kV - 450 kV
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
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