HAMAMATSU/滨松公司PIN光电二极管

这款高速光电传感器是为 0.85 µm 波段的光纤通信开发的。本插座式硅 PIN 光电二极管与 GI-50 多模光纤兼容。 特点 - 高速响应：典型值为 1 GHz - 兼容 GI-50 多模光纤 详细参数 • 受光面 : - • 像元数 : 1 • 封装 : 插座 • 封装类别 : FC 面板 • 制冷 ...

S13993 是一款非密封型大面积硅 PIN 光电二极管，用于直接辐射检测。由于受光面涂有铝，因此在紫外至近红外区域没有灵敏度。 特点 -高量子效率 -高能量分辨率 -低电容 -耗竭层：0.3 mm 本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护，因此与普通产品相比，在操作过程中需要特别小心。 使用本产品之前，请务必阅读下文所述的“未密封产品/预防措施”。 • ...

S14536 系列是专为直接检测高能带电粒子和 X 射线而设计的大面积光电二极管。这些探测器安装在印刷电路板上，带有一个开口，用于带电粒子和 X 射线的 ΔE/E 检测。 特点 -大感光面 -低暗电流 -高电压容差 • 受光面 : 48 × 48 mm • 芯片厚度 : 320 ± 15 μm • 非感光层厚度（正面） : 1.5 μm • 非感光层厚度（背面） : 20 ...

S14537 系列是专为直接检测高能带电粒子和 X 射线而设计的大面积光电二极管。这些探测器安装在印刷电路板上，带有一个开口，用于带电粒子和 X 射线的 ΔE/E 检测。 特点 -大感光面 -低暗电流 -高电压容差 • 受光面 : 28 × 28 mm • 芯片厚度 : 320 ± 15 μm • 非感光层厚度（正面） : 1.5 μm • 非感光层厚度（背面） : 20 ...

S14605 是一款非密封型大面积硅 PIN 光电二极管，用于直接辐射检测。它可以高效检测高能辐射。 特点 -高量子效率 -高能量分辨率 -低电容 -耗竭层：0.5 mm 本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护，因此与普通产品相比，在操作过程中需要特别小心。 使用本产品之前，请务必阅读下文所述的“未密封产品/预防措施”。 • ...

S15137 是为 YAG 激光器 (1.06 µm) 开发的硅 PIN 光电二极管。1.06 μm 的感光灵敏度为 0.57 A/W（典型值），比前代产品高约 1.5 倍。PIN 结构可实现高速响应和低电容。受光面大至 φ5 mm，简化了光轴校准。 特点 - 在红外区具有高灵敏度：0.57 A/W (λ = 1.06 µm) - ...

适用于 LD 监视器的次安装基台型光电二极管 特点 - 感光面 G15553-003C：φ0.3 mm - 微型封装：2 × 2 × 1 mm - 精密的芯片位置公差：±0.075 mm 本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护，因此与普通产品相比，在操作过程中需要特别小心。 使用本产品之前，请务必阅读下文所述的“预防措施/未密封产品”。 • ...

长波长类型（截止波长：2.55 μm） 特点 - 截止波长：2.55 μm - 两级电子冷却型 - 低成本 - 受光面：φ1 mm - 低噪声 - 高灵敏度 - 高可靠性 - 高速响应 - 高短波长灵敏度：0.4 A/W (λ=900 nm) • 受光面 : φ1.0 mm • 像素数 : 1 • 封装 : 金属 • 封装类别 : TO-66 • 散热 : 两级电子冷却型 • 灵敏度波长范围 : 0.9 到 2.55 μm • ...

我们已将光电二极管和透镜布置在最佳位置，以便该插座型 InGaAs PIN 光电二极管能够显著减少模块内部的多次反射。用于 OCT 等。 特点 - 高速响应：典型值为 4 GHz - 防止多次反射 - 兼容 FC/角度 PC 详细参数 • 像素数 : 1 • 封装 : 插座 • ...