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电流: 15 A
电压: 140 V
... NPN 双极功率 晶体 管 MJ15001 和 MJ15002 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率 晶体 管。 特性 高安全工作区（100% 测试） 适用于低失真互补设计 高直流电流增益 - hFE = 25（最小值）@ IC = 4 Adc 提供无铅封装 ...
Onsemi
电流: 24 A
电压: 1,700 V
... 该装置采用了平面扩散式集电极技术，该技术是为适应高清CRT显示器而开发的 "增强型高压结构"（EHVS1）。 新的HD产品系列显示了改进的硅效率，为水平偏转阶段带来了更新的性能。 所有特点 最先进的技术：扩散式集电极 "增强型一代 "EHVS1 对工作温度的变化不那么敏感 更大范围的最佳驱动条件 符合U.L标准的全绝缘电源包 ...
STMicroelectronics
电压: 60 V
... 描述： 中央半导体 BCV47 是一种硅 NPN 达林顿 晶体 管，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装封装成型的环氧树脂，专为需要极高增益的应用而设计。 标记代码：FG ...
Central Semiconductor
电流: 0.8 A
电压: 50 V
... 直流电流增益 HFE 最大值：400 直流电流增益 HFE 最小值 ：160 产品描述：TO-92，50V，0.8A，NPN 双 极晶体 管 IC（A）：0.8P D（W）：0.625 封装：TO-92 极性：NPN 状态：有源 TJ 最大值。 (℃): 150 维也纳中央广播组织 (五): 50 维也纳教育中心星期六. (五): 0.7 职级 首席执行官 (五): 45 VEBO (五): 5 ...
电压: 20, 50 V
... 单封装 N 沟道 MOSFET 和 NPN 晶体 管， 低导通电阻，极 低栅极阈值电压，1.0V 最大 低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏， 超小型表面贴装封装 引线，无卤素和锑，符合 RoHS 标准（注 2） ESD 受保护的 MOSFET 栅极高达 2kV “绿色” 器件（注 3） 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性 ...
Diodes Incorporated