IGBT电容器

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金属化聚丙烯膜电容器
金属化聚丙烯膜电容器
POWER

电容: 0.1 µF - 5 µF
电压: 375 V - 3,000 V

缓冲回路电容器
缓冲回路电容器
SNUT1

电容: 0.33 µF - 6.8 µF
电压: 700 V - 2,500 V

产品广泛应用于UPS、逆变器、电焊机、电源、感应加热等设备的IGBT模块高频纹波吸收保护,尖峰电压钳位等场合。 一般技术参数: 参考标准:IEC 61071-2007 GB/T 17702-2013 电介质:金属化聚丙烯薄膜 填充料:环氧树脂 结构:无感卷制

薄膜电容器
薄膜电容器

... 阻尼电容器是极具机智的器件,旨在保护半导体和 IGBT 晶体管。 这些器件具有极高的峰值电流,因此不断充电和放电。 电容器被封装在一个坚固的塑料缸中,并用 PU 树脂密封固定。 根据 MKP 涂层系统,它们由金属增强的 PP 薄膜构成。 这使得电容器能够以最小的串联电阻和自电感进行极高的电流。 ...

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