- 电学、电子和光学设备 >
- 电子元件 >
- GaAs砷化镓放大器
GaAs砷化镓放大器
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
频率: 2 GHz - 18 GHz
Pasternack Enterprises, Inc.
电压: 1.4 V
电流: 400 mA
... 但在端面处具有防反射设计元件。 最近的设计包括防反射涂层、倾斜波导和窗口区域,可将端面反射减少到 0.001% 以下。 由于这会造成腔内功率损耗,大于增益,因此可以防止放大器充当激光器。 特点: • 1290nm 时高增益高达 25dA • 超低纹纹 0.02dA (RMS) • 基于INAS/GaAs量子点芯片 • 强线性偏振 • RoHS 合规性 应用: • ...
频率: 0.4 GHz - 7.5 GHz
单一正电源(自偏置) 高 OIP3:32 dBm(典型值) 低噪声指数:0.4 GHz 到 6 GHz 范围内为 3.5 dB(典型值) 兼容 RoHS 的 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP ADL8104 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带高线性度放大器,工作范围为 ADL8104 在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型增益为 15 ...
ADI/凌力尔特
功率: 3,000 W
频率: 10 kHz - 100,000 kHz
... ETS-Lindgrens 8000-08 型射频功率放大器是一款 3000 W 功率放大器,主要设计用于 EMC 应用,包括 MIL-STD 461 RS103、200 V/m。与硅基放大器相比,这款射频放大器采用砷化镓技术,具有更高的线性度、更坚固的设计和更高的能效。8000-008 具有极低的失真和 100% 失配容差。 主要特性 MIL-STD 461 RS103、200 V/m 高可靠性砷化镓设计 卓越的性能和效率 安全联锁 物理规格 尺寸19 英寸,34U ...
频率: 71 GHz - 86 GHz
... Filtronic的哈迪斯有源双工器系列使原始设备制造商(OEM)能够降低其E波段无线电的成本,同时大幅提高射频性能。 我们的有源双工器在E-Band双工器中加入了一系列可配置的砷化镓PA和LNA,在减少尺寸和重量的同时,最大限度地提高了性能。 有源双工器可与各种现成的商用SMT兼容封装砷化镓或硅锗上下行转换器解决方案结合使用,以提高性能,使之超出表面贴装产品所能达到的水平。这使我们的客户能够在不改变无线电结构的情况下部署可配置的 "标准功率 "和 "高功率 ...
电压: 5 V
频率: 50 Hz
... 用于基于 GaAs 的光纤温度传感器的单通道手持信号调 理器关于 Pico M 光纤放大器 全功能,即插即用,50 Hz 采样速率在坚固的封装中。 Pico M 是一款紧凑便携式信号调节器,可与 GaAs OTG-M 系列光纤温度传感器配合使用。 Pico M 的核心是半导体带隙 (SCBG) 技术,该技术为准确测量 GaAs 晶体与温度相关的带隙位置提供了一种方法。 ...
Althen sensors
● 采用国际先进的GaAs工艺制作 ● 低驻波比 ● 均衡范围大 ● 裸片无封装 ● 宽带微波模块 ● 雷达 ● 电子对抗EW, ECM, ECCM ● T/R 组件 ● 均衡器被用作电路补偿,已修正电路中其他元件如放大器 阶段造成的损失.
为提升搜索质量,您认为我们应改善:
请说明:
您的建议是我们进步的动力:
剩余字数