内存

... NAND 型闪存器一直在改变其存储单元结构、单元大小和功能，通过缩小，容量增大，成本降低，正在迅速推进。 但是，如果闪存生成变化 在不保持跨代兼容性的情况下加速，则采购 NAND 型闪存可能会变得困难，并 可能出现限制系统引入和系统设计的更大风险。 TDK GBDriver RA6 通过控制最新的闪存（双平面写入闪存）消除了这些风险，同时保持 对现有 NAND 型闪存的支持。 除此之外，GBDriver RA6 支持 UltraDMA Mode2，最大传输速度为 ...

... 用于5G智能手机的下一代移动NAND闪存存储器 最新与新的结合（V7 NAND和新的SoC） SK hynix的NAND闪存阵容在单片密度和可用容量配置方面继续发展，并由一个成熟和强大的技术平台支持。现在，我们推出了UD310（UFS3.1）和UD220（UFS2.2），这是基于我们最新的176层4D NAND的高容量和高性能移动存储，安装在一个更小和更薄的封装中，以满足5G智能手机的严格要求。 UD310 世界上第一个采用176层NAND闪存的UFS3.1系统 SK ...

意法半导体具有前沿技术开发能力、产品稳定性得到认可、产量高，是全球串行EEPROM的第一供应商。意法半导体侧重于完整的产品线、短供货时间、数量上高度灵活、通过精选的合作伙伴达到全球发布。意法半导体广泛的产品线提供可靠的SPI、I2C和Microwire产品，使用SO8N、TSSOP8、DFN2X3、DFN5、WLCSP和裸露晶片封装。 选择意法半导体的EEPROM，您将获益于拥有14年以上经验的全球首屈一指的EEPROM供应商提供的专业知识（IHS 2019年12月），还将体验最安全、最灵活的工作参数、设置/校准数据以及小启动代码存储管理。

... SRAM SRAM 映像 （查看大图 SRAM 映像） ARM® 单端口和双端口 SRAM 存储器编译器提供各种不同的架构，支持所有类型 SoC 设计的广泛性能范围。 设计人员可以从高密度、高速和低功耗 SRAM 中进行选择，以优化其速度、功率和/或面积的设计。 ARM SRAM 存储器编译器可用于超过 15 个不同的铸造厂和 65 个从 28nm 到 250nm 的工艺变型。 SRAM 内存是用于临时存储大量信息。 提供 1 端口和 2 端口版本 ARM ...

内存: 8, 6, 5, 4, 2 GB

... DDC 的 DDR2 SDRAM 是第一款也是唯一一款用于空间的密封陶瓷 DDR2 存储器，具有高速运行，具有高达 8 Gbps 的存储器。 可选的 RAD-PAK® 屏蔽提供了更高的总剂量耐受性，以支持具有更大辐射照射的飞行任务。 自 20 多年前成立以来，DDC 的电子元器件和单板计算机在太空中经历了零故障！ 优点 更高的性能 提供更高的速度 SDRAM (400 MHz)，以提高内存吞吐量并最大限度地提 高应用效率高可靠性 密封陶瓷 CCGA 封装可实现长期可靠的使用和易于设计可 选的 ...

东芝在1987年发明了NAND闪存并率先于1991年量产NAND闪存。至此，东芝一直致力于缩小设计规则和工艺节点以提高NAND闪存的容量。 然而， 工艺过渡面临诸多挑战。通过传统的平面NAND闪存技术来进一步增大容量已经变得极为困难。 为了解决这个问题，东芝发明了闪存芯片垂直层叠的全新工艺。2007年，东芝率先发布了三维（3D）闪存层叠技术。通过进一步开发，东芝推出了3D闪存：BiCS FLASH™ 目标应用 随着物联网（IoT）的出现，社交网络（SNS）的流行和更高分辨率的照片和视频的产出，世界范围内产生的数据量呈现指数式的增长。 在信息处理领域，实时性能非常重要。大数据系统需要管理大量数据，并将数据分类储存在数据中心和云服务系统中。这种情况下，大容量的存储系统需要高速且低功耗地处理、存储和管理大量数据。 另外，在智能手机、平板电脑、存储卡和其他对功耗敏感的应用中，对低功耗存储的需求也与日俱增。 BiCS ...